[发明专利]存储器的控制方法及装置

说明书

一种存储器的控制方法及装置。所述方法包括：接收并读取待写入的数据，获取所述待写入的数据的目标地址信息；读取所述存储器中各个存储单元内数据；根据所述目标地址信息，判断所述目标地址对应的存储单元中数据的状态是否为有效状态；当所述目标地址对应的存储单元中数据的状态为有效状态时，对所述第一存储单元执行编程操作，将所述待写入的数据写入至所述第一存储单元；将所述待写入的数据写入至所述第一存储单元后，对所述目标地址对应的存储单元执行擦除操作，以进行下一次的数据写入。应用所述方法可以延长存储器的使用寿命并减小存储器的面积。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，具体涉及一种存储器的控制方法及装置。

背景技术

电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-OnlyMemory，EEPROM)，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。

在实际应用中，向EEPROM中写入数据时，若待存储的数据长度超过1页，每次按页或小于页的长度进行数据更新。也就是说，当待存储的数据长度超过1页时，需要通过多次的写入操作才能完成对全部数据的存储。

其中，在每次写入操作中，通常先对目标存储区进行擦除操作，再对擦除后的目标存储区执行编程操作，即可完成该页数据的写入。具体地，如图1所示，在对目标存储区执行擦除操作时，目标存储区内的数据状态先由有效状态(即完整状态)转变为不定状态(即不完整状态)，再由不定状态转变为擦除状态，届时擦除操作完成。在对目标存储区执行编程操作时，目标存储区内的数据状态先由擦除状态转变为不定状态，再由不定状态转变为有效状态，届时该次编程操作完成。当更好该目标存储区后，以新的地址作为目标存储区，重复上面的操作，实现对另一个目标存储区的数据更新操作。

然而，在数据的写入过程中，当目标存储区的数据状态处于不定状态或擦除状态时，若写入操作中断，则会导致数据丢失的情况出现。

为了避免数据丢失的情况出现，目前通常采用备份存储的方法进行数据写入，即：将同一待写入的数据先后分别写入目标存储区和备份存储区，并使得二者中的数据状态无论何时至少一个为有效状态。也就是说，对于同一待写入的数据，先对目标存储区执行擦除及编程操作，再对备份存储区执行擦除及编程操作，并保证二者中的数据状态在任意时刻至少一个为有效状态。

在上述数据存储的过程中，当数据长度为N页时，需要分别进行2N次擦除操作和2N次编程操作，才能完成对全部数据的存储，擦写次数过多以及擦写时间过长导致EEPROM的使用寿命缩短。并且，由于每页数据均设置有目标存储区和备份存储区，因此当数据长度为N页时，需要占用2N页的存储空间，使得EEPROM的面积增大，成本增加。

发明内容

本发明解决的技术问题是如何延长存储器的使用寿命并减小存储器的面积。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种存储器的控制方法，所述存储器由多个存储单元组成，其中包括第一存储单元，所述第一存储单元中数据的初始状态为擦除状态，每个存储单元的数据存储容量为一页，所述方法包括：

接收并读取待写入的数据，获取所述待写入的数据的目标地址信息；

读取所述存储器中各个存储单元内数据；

根据所述目标地址信息，判断所述目标地址对应的存储单元中数据的状态是否为有效状态；

当所述目标地址对应的存储单元中数据的状态为有效状态时，对所述第一存储单元执行编程操作，将所述待写入的数据写入至所述第一存储单元；

将所述待写入的数据写入至所述第一存储单元后，对所述目标地址对应的存储单元执行擦除操作，以进行下一次的数据写入。

可选地，所述方法还包括：