[发明专利]泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法

权利要求书

1.泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法，其特征在于，包括以下步骤：

⑴选用泡沫镍做碳纳米管化学气相沉积反应的催化与基底材料，对泡沫镍基底进行化学和超声清洁；

⑵设置CVD反应装置，并在CVD反应装置中对泡沫镍基底直接进行碳纳米管的化学气相沉积生长，所述CVD反应装置包括管式炉、设置于管式炉一侧的进气通道、以及设置于管式炉另一端的真空抽气泵，将泡沫镍基底用耐高温托盘承载、放置在管式炉中间，用真空抽气泵将管式炉抽至压强<1 Torr的真空状态，同时对管式炉进行加热，并向石英炉内通入载气，当管式炉加热温度达到600-900°C时，向炉中通入适当流量比的碳氢气体，该碳氢气体与载气的流量比为（10-40sccm) : (100-400sccm)，并控制反应炉内的压力在1-760Torr， 开始1-30min的碳纳米管生长，生长结束后，停止加热，关闭碳氢气源，维持载气通入，让反 应炉降温至室温，取出样品。

2.根据权利要求1所述的泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法，其特征在于，所述的步骤（1)和（2)之间还设置有泡沫镍基底的阳极化处理，选用酸性溶液，以泡沫镍基底为正极，选用耐腐蚀导体作负极，在两极间加以1-100V的固定 电压，持续0.1-10分钟，阳极化处理后对泡沫镍基底进行化学、超声清洗。

3.根据权利要求1所述的泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法，其特征在于，所述的碳氢气体为乙炔、甲烷、乙烯。

4.根据权利要求1所述的泡沫镍基底上直接生长碳纳米管来制备电池电极的方法，其特征在于，所述的步骤（2)中碳纳米管的生长温度为625C，生长压力为 30Torr，生长时间 10min。