[发明专利]整合式被动模组、半导体装置及其制作方法

权利要求书

1.一种整合式被动模组，包括：

经研磨的共烧陶瓷基板，包括一研磨表面并嵌设有至少一个第一被动元件，所述第一被动元件包括电容、电感或压敏电阻，所述第一被动元件的所述电容的电容值小于或等于100nF，所述第一被动元件的所述电感的电感值大于或等于1nH；

平坦层，设置于所述陶瓷基板之所述研磨表面上；

薄膜积层，具有至少一个第二被动元件，所述薄膜积层设置于所述平坦层之上，所述第二被动元件与所述第一被动元件电性连接，所述第二被动元件包括电容、电感或电阻，所述第二被动元件的所述电容的电容值小于或等于20pF，所述第二被动元件的所述电感的电感值小于或等于50nH，所述第一被动元件的体积大于所述第二被动元件的体积；以及

线路重布层，设置于所述薄膜积层之上，所述线路重布层与所述第二被动元件及所述第一被动元件电性连接。

2.根据权利要求1所述的整合式被动模组，其中所述陶瓷基板进一步具有多个电性连接部，所述电性连接部是外露于所述陶瓷基板的外表面，部分所述电性连接部与所述第一被动元件电性连接。

3.根据权利要求1所述的整合式被动模组，其中所述第二被动元件设置于所述平坦层之上。

4.根据权利要求1所述的整合式被动模组，其中所述平坦层具有导电图案，所述导电图案与所述第一被动元件及所述第二被动元件电性连接。

5.根据权利要求1所述的整合式被动模组，其中所述平坦层的材料包括聚亚酰胺、苯并环丁烯或绿漆。

6.一种半导体装置，包括：

整合式被动模组，包括：

经研磨的共烧陶瓷基板，包括一研磨表面并嵌设有至少一个第一被动元件，所述第一被动元件包括电容、电感或压敏电阻，所述第一被动元件的所述电容的电容值小于或等于100nF，所述第一被动元件的所述电感的电感值大于或等于1nH；

平坦层，设置于所述陶瓷基板之所述研磨表面上；

薄膜积层，具有至少一个第二被动元件，所述薄膜积层设置于所述平坦层之上，所述第二被动元件与所述第一被动元件电性连接，所述第二被动元件包括电容、电感或电阻，所述第二被动元件的所述电容的电容值小于或等于20pF，所述第二被动元件的所述电感的电感值小于或等于50nH，所述第一被动元件的体积大于所述第二被动元件的体积；及

线路重布层，设置于所述薄膜积层之上，所述线路重布层与所述第二被动元件及所述第一被动元件电性连接；以及

至少一个主动元件，与所述第一被动元件及所述第二被动元件电性连接，其中所述线路重布层设置于所述薄膜积层与所述主动元件之间，所述主动元件通过所述线路重布层与所述第二被动元件及所述第一被动元件电性连接，所述主动元件设置于所述薄膜积层之上远离所述陶瓷基板的一侧。

7.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

提供共烧陶瓷基板，其嵌设有至少一个第一被动元件，其中嵌设于所述陶瓷基板的所述第一被动元件是通过厚膜工艺所形成，通过烧结工艺形成内嵌所述第一被动元件的所述共烧陶瓷基板，所述第一被动元件包括电容、电感或压敏电阻，所述第一被动元件的所述电容的电容值小于或等于100nF，所述第一被动元件的所述电感的电感值大于或等于1nH；

研磨所述陶瓷基板的表面；

形成平坦层于所述陶瓷基板经研磨的所述表面之上；以及

形成薄膜积层于所述平坦层之上远离所述陶瓷基板的一侧，所述薄膜积层包括至少一个第二被动元件，且所述薄膜积层与所述第一被动元件电性连接，其中所述第二被动元件包括电容、电感或电阻，所述第二被动元件的所述电容的电容值小于或等于20pF，所述第二被动元件的所述电感的电感值小于或等于50nH，所述第一被动元件的体积大于所述第二被动元件的体积；

形成线路重布层于所述薄膜积层之上远离所述陶瓷基板的一侧，其中所述线路重布层与所述第二被动元件及所述第一被动元件电性连接。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中在所述研磨步骤中，所述陶瓷基板的厚度被研磨去除5μm至10μm。