[发明专利]光掩模坯、抗蚀剂图案形成方法和光掩模的制造方法

权利要求书

1.光掩模坯，包括适合曝光于高能辐照的化学增幅型正型抗蚀剂膜，在该抗蚀剂膜上还包括抗静电膜，所述抗蚀剂膜包括：

(A)包括由下式(1)表示的重复单元和具有至少一个氟原子的重复单元的聚合物，

其中R¹为氢或甲基，R²为氢或者可被杂原子分隔的直链或支化的C₁-C₅烃基，R³为可被杂原子分隔的直链或支化的C₁-C₅烃基，m是1-3的整数，n为满足0≤n≤5+2l-m的整数，l为0或1，和X¹为单键、-C(＝O)O-或-C(＝O)NH-，

(B)在酸的作用下分解以增加其在碱性显影剂中的溶解性的基础树脂，

(C)产酸剂，和

(D)碱性化合物。

2.权利要求1的光掩模坯，其中具有至少一个氟原子的重复单元是选自具有式(2)-(5)的单元的至少一种单元：

其中R⁴各自独立地为氢、氟、甲基或三氟甲基，R^5a和R^5b各自独立地为氢或者直链、支化或环状的C₁-C₁₀烷基，R⁶各自独立地为氢、直链、支化或环状的C₁-C₁₅一价烃基或氟代烃基、或者酸不稳定基团，条件是由R⁶表示的一价烃基或氟代烃基中，醚键(-O-)或羰基基团(-C(＝O)-)可介于碳-碳键之间，A为直链、支化或环状的C₁-C₂₀(s+1)价烃基或氟代烃基，和s为1-3的整数。

3.权利要求1的光掩模坯，其中，所述抗静电膜包括选自由以下物质组成的组的导电性聚合物：由π-共轭的导电性聚合物和含有多酸的多阴离子组成的复合物、和在重复单元的侧链上具有酸性基团和/或盐的π-共轭的导电性聚合物。

4.权利要求3的光掩模坯，其中，该抗静电膜包含氨基酸。

5.权利要求4的光掩模坯，其中，该氨基酸具有式(6)：

其中R¹⁰¹和R¹⁰²各自独立地为氢或者可被杂原子分隔的直链、支化或环状的C₁-C₂₀一价烃基，R¹⁰³和R¹⁰⁴各自独立地为氢或者可被杂原子分隔的直链、支化或环状的C₁-C₂₀一价烃基，或者R¹⁰¹与R¹⁰³的一对或R¹⁰¹与R¹⁰⁴的一对可彼此键合以与它们结合的碳原子和氮原子形成环，L¹为可被杂原子分隔的直链、支化或环状的C₁-C₂₀二价烃基。

6.权利要求1的光掩模坯，其中，该基础树脂(B)包含具有芳族结构的重复单元。

7.权利要求6的光掩模坯，其中，该具有芳族结构的重复单元是选自具有式(U-1)和(U-2)的单元中的至少一种单元：

其中R⁷各自独立地为氢、氟、甲基或三氟甲基，R⁸各自独立地为C₁-C₆烷基，B¹各自独立地为单键或者可含有醚键的C₁-C₁₀亚烷基，p和q各自为0或1，r和t各自为0-2的整数，a为满足0≤a≤5+2r-b的整数，b为1-5的整数，c为满足0≤c≤5+2t-e的整数，d为0或1，e为1-3的整数，e＝1时X为酸不稳定基团，e为2或3时X为氢或酸不稳定基团，至少一个X为酸不稳定基团。