[发明专利]番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法

权利要求书

1.番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是依次包括以下步骤：

1)、将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的西红花球茎于55～65℃的温水浸泡后进行水培催芽；培养条件为26～28℃、暗培养；

2)、待球茎的侧芽芽眼萌发且长成高度≥0.5cm时，抹下整个侧芽，将上述侧芽消毒后，切取其基部0.2cm～0.5cm接种到生长培养基上进行培养，从而获得无菌苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

3)、待上述无菌苗长至1.0～1.2cm高时，剥取无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织，将茎尖分生组织接种到生长培养基上进行培养，从而获得茎尖分生组织诱导的苗；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

4)、待上述茎尖分生组织诱导的苗长到1.5cm～2.0cm高时作为植株Ⅰ；切取植株Ⅰ上叶片，提取汁液，进行菜豆黄花叶病毒颗粒检测；

如果没有检测到病毒颗粒，则进入下述步骤5)；

如果检测到病毒颗粒，从该植株Ⅰ上剥取3mm～5mm茎尖分生组织，以此替代步骤3)中的剥取自无菌苗上的3mm～5mm茎尖分生组织重复上述步骤3)，直至获得不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ为止；

5)、将步骤4)所得的不含菜豆黄花叶病毒颗粒的植株Ⅰ接种到诱导丛生芽培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

6)、待从植株Ⅰ上诱导出的丛生芽长到1.0～1.5cm高时，割取2～3株作为丛生植株Ⅱ；将上述丛生植株Ⅱ接种到增殖培养基上进行培养；培养条件为：16小时光照，光照强度30～40μmolm^-2·s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行；

7)、待上述植株Ⅱ长出的丛生芽长到1.0～2.0cm高，割取1～3株作为植株Ⅲ；将此植株Ⅲ接种到球茎诱导膨大培养基上进行培养，直至长成所需的规格；生长条件为：16小时光照，光照强度10～30μmolm^-2.s^-1，温度为27±1℃；8小时暗培养，温度为21±1℃；上述光照和暗培养交替进行。

2.根据权利要求1所述的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是：

所述步骤1)为将无病斑、无虫瘿且健壮饱满的西红花球茎于55～65℃的温水中浸泡25～35min，随后室温晾干至球茎表面无水滴，再放入55～65℃的温水中进行浸泡；重复上述晾干、浸泡1～3次后再进行水培催芽。

3.根据权利要求1或2所述的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是：

所述步骤2)和步骤3)中的生长培养基为：MS基本培养基+白砂糖20～30g/L+琼脂4～6g/L，pH为5.8～6.0。

4.根据权利要求1或2所述的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是：

所述步骤5)中的诱导丛生芽培养基为：MS基本培养基+0.2～0.5mg/lN-苯基-N’-1,2,3-噻二唑-5脲+0.1～0.5mg/l萘乙酸+白砂糖20～30g/L+琼脂4～6g/L，pH为5.8～6.0。

5.根据权利要求1或2所述的番红1号西红花的脱毒试管球茎的培养法，其特征是：

所述步骤6)中的增殖培养基为：MS基本培养基+0.3～2.0mg/l6-苄基腺嘌呤+0.05～0.1mg/l萘乙酸+20～30g/L白砂糖+4～6g/L琼脂，pH为5.8～6.0。