[发明专利]一种GaN基激光器制备方法和结构

权利要求书

1.一种GaN基激光器制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在第一外延片的表面p-GaN层上沉积介质膜；

通过光刻或者刻蚀方式，在所述介质膜上形成双脊窗口区，所述双脊窗口区贯穿到所述p-GaN层；

在所述双脊窗口区范围内的所述p-GaN层上外延生长p-GaN；

在外延生长的p-GaN表面交替沉积高低折射率材料，形成介质膜上限制层；

在介质膜上限制层上沉积金属，由所述沉积金属构成p电极。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述外延生长的p-GaN所构成的脊柱宽度和脊柱间沟道的宽度，由所要制造的激光器特性所预先设定。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在介质膜上限制层上沉积金属，具体为：

在两个脊柱上沉积金属；或者，在两个脊柱周围，在所述介质膜上沉积金属；或者，覆盖所述脊柱方式沉积金属。

4.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于，所述第一外延片具体实现为：

依次由衬底、n-GaN层、下限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层、电子阻挡层和p-GaN层构成。

5.根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于，所述介质膜由SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、Si₃N₄、TiN、AlN中的一种或者多种构成。

6.一种GaN基第二外延片，其特征在于，所述第二外延片包括第一外延片、介质膜、p-GaN脊柱和介质膜上限制层，具体的：

所述介质膜位于所述第一外延片的p-GaN层之上，且所述介质膜上具有双脊窗口；

所述p-GaN脊柱位于所述双脊窗口中，并与所述第一外延片的p-GaN层相接连；

所述介质膜上限制层位于所述p-GaN脊柱上，其中，所述介质膜上限制层由不同折射率材料构成。

7.根据权利要求6所述的第二外延片，其特征在于，所述第一外延片具体结构包括：

依次由衬底、n-GaN层、下限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层、电子阻挡层和p-GaN层构成。

8.一种GaN基激光器，其特征在于，所述激光器包括第一外延片、介质膜、p-GaN脊柱、介质膜上限制层、P电极和N电极，具体的：

所述介质膜位于所述第一外延片的p-GaN层之上，且所述介质膜上具有双脊窗口；

所述p-GaN脊柱位于所述双脊窗口中，并与所述第一外延片的p-GaN层相接连；

所述介质膜上限制层位于所述p-GaN脊柱上，其中，所述介质膜上限制层由不同折射率材料构成；

所述P电极位于所述介质膜上，或者位于所述介质膜上，且在所述p-GaN脊柱周围；

所述N电极位于所述第一外延片的衬底上。

9.根据权利要求8所述的激光器，其特征在于，所述第一外延片具体结构包括：

依次由衬底、n-GaN层、下限制层、下波导层、多量子阱有源区、上波导层、电子阻挡层和p-GaN层构成。

10.根据权利要求8或9所述的激光器，其特征在于，在于所述介质膜由SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ta₂O₅、Si₃N₄、TiN、AlN中的一种或者多种构成。