[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510828720.1 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655400B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木俊成 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/34;H01L29/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有：
第1电极；
第1绝缘层，设置有到达所述第1电极的第1开口部，在所述第1开口部具有环状的第1侧壁；
氧化物半导体层，配置于所述第1侧壁，与所述第1电极连接；
栅极绝缘层，配置于所述氧化物半导体层上；
栅电极，与配置于所述第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；和
第2电极，配置于所述第1绝缘层的上方，与所述氧化物半导体层连接，
所述氧化物半导体层配置于所述第1侧壁与所述栅极绝缘层之间，
所述栅极绝缘层配置于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1侧壁是锥形。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述氧化物半导体层覆盖所述第1侧壁地配置。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1绝缘层的上方，进一步具有位于所述第1绝缘层与所述氧化物半导体层之间的第3电极。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2电极在与所述第3电极相反的一侧与所述氧化物半导体层连接。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述第2电极经由所述第3电极与所述氧化物半导体层连接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置进一步具有：
第2绝缘层，配置于所述第1电极、所述第1绝缘层、所述氧化物半导体层和所述栅极绝缘层的上方；
第4电极，与所述第1电极连接；和
第5电极，与所述栅电极连接，
所述第4电极经由设置于所述第2绝缘层的第2开口部与所述第1电极连接，
所述第2电极经由设置于所述第2绝缘层的第3开口部与所述氧化物半导体层连接，
所述第5电极经由设置于所述第2绝缘层的第4开口部与所述栅电极连接。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，
所述第4电极经由所述第2开口部和设置于所述第1绝缘层的第5开口部与所述第1电极连接。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
多个所述第1开口部邻接地配置，
所述第1电极、所述第2电极和所述栅电极相对于所述多个所述第1开口部共同地设置。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置进一步具有包围所述第1绝缘层的环状的第3绝缘层，
所述第1绝缘层和所述第3绝缘层具有包围所述第1侧壁地配置的第2侧壁，
所述栅电极设置于所述第1侧壁和所述第2侧壁。
11.一种半导体装置，其特征在于，
所述半导体装置具有：
第1绝缘层，具有环状的第1侧壁；
氧化物半导体层，配置于所述第1侧壁；
栅极绝缘层，配置于所述氧化物半导体层上；
栅电极，与配置于所述第1侧壁的所述氧化物半导体层对置；
第1电极，配置于所述第1绝缘层的下方，与所述氧化物半导体层的第1部分连接；
第2电极，配置于所述第1绝缘层的上方，与所述氧化物半导体层的第2部分连接；和
第3电极，在所述第1绝缘层的上方，位于所述第1绝缘层与所述氧化物半导体层之间，
所述氧化物半导体层配置于所述第1侧壁与所述栅极绝缘层之间，
所述栅极绝缘层配置于所述氧化物半导体层与所述栅电极之间。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1侧壁是锥形。
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