[发明专利]处理腔室和包含此的基板制造装置及基板制造方法在审
申请号: | 201510830610.9 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105632975A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 安贤焕;徐现模;高东辰 | 申请(专利权)人: | 系统科技公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;姜长星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 包含 制造 装置 方法 | ||
1.一种双排气结构的处理腔室,包括:
内部腔室(100),投入到内部的基板借助于工艺气体而得到处理;
内部排气口(131),用于向外部排出所述内部腔室(100)的内部空间的气体;
外部盖体(200),围绕所述内部腔室(100)的外部;
外部排气口(231),用于向外部排出所述内部腔室(100)与外部盖体(200)之间的空间 的气体。
2.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述内部腔室(100)由上部开放的腔室主体(110)和用于开闭所述腔室主体(110)的开 放的上部的封盖(120)构成,
所述处理腔室具备:封盖开闭驱动部(400:410、420),用于提供驱动力,该驱动力使所 述封盖(120)沿上下方向移动以开闭所述腔室主体(110)的上部。
3.如权利要求2所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述外部盖体(200)具备:开口部(211),用于能够借助机械手(4)而进行基板的投入和 搬出;外部盖体机门(240),用于开闭所述开口部(211),
在所述封盖(120)向上方开放的情况下,所述开口部(211)和外部盖体机门(240)位于 与所述封盖(120)和腔室主体(110)上端之间的空间对应的高度处。
4.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述外部盖体(200)形成有与外部连通的连通孔(221)。
5.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述外部排气口(231)由贯通于所述外部盖体(200)的底板部(230)的孔构成。
6.如权利要求2所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述封盖(120)的底面结合有均匀地喷洒用于处理所述基板的工艺气体的喷洒头 (140)。
7.如权利要求1所述的双排气结构的处理腔室,其特征在于,
所述内部腔室(100)和外部盖体(200)的底板部一体地形成。
8.一种基板制造装置,包括:
装载盒(3),用于装载多个基板;
如权利要求1至7中的任意一项所述的至少一个处理腔室(1、2);
机械手(4),用于从所述装载盒(3)接收基板并将所述基板投入到所述处理腔室(1、2) 的内部,且搬出在所述处理腔室(1、2)中处理完毕的基板。
9.如权利要求8所述的基板制造装置,其特征在于,
所述外部排气口(231)中,在处理所述基板的过程中真空吸力一直发挥作用。
10.如权利要求8所述的基板制造装置,其特征在于,
所述装载盒(3)的内部处于大气压氛围。
11.如权利要求8所述的基板制造装置,其特征在于,
所述机械手(4)在大气压下工作。
12.一种基板制造方法,包括如下步骤:
a)借助于机械手(4)而将基板投入到权利要求1至7中的任意一项所述的处理腔室(1) 的内部;
b)向所述内部腔室(100)内部注入工艺气体,以进行基板的处理;
c)当完成所述基板的处理之后从所述内部腔室(100)搬出所述基板时,通过所述外部 排气口(231)而排出残留于所述内部腔室(100)与外部盖体(200)之间的空间的气体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造