[发明专利]光电组件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电组件，包含：

一半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一p-n接面(p-njunction)并且具有一上表面；

一第一表面钝化层，该第一表面钝化层系形成以覆盖该半导体结构组合之该上表面，该第一表面钝化层具有一第一界面缺陷密度(interfacialstatedensity，Dit)与一第一固定氧化层电荷(fixedoxidecharge，Qf)；以及

一第二表面钝化层，该第二表面钝化层系形成以覆盖该第一表面钝化层，该第二表面钝化层具有一第二界面缺陷密度与一第二固定氧化层电荷；

其中该第一界面缺陷密度小于该第二界面缺陷密度，并且该第二固定氧化层电荷值大于该第一固定氧化层电荷值。

2.如权利要求1所述之光电组件，其中该半导体结构组合并且包含一n型态区域，该n

型态区域提供该上表面，并且该第二表面钝化层具有正电荷。

3.如权利要求1所述之光电组件，其中该半导体结构组合并且包含一p型态区域，该p

型态区域提供该上表面，并且该第二表面钝化层具有负电荷。

4.如权利要求1所述之光电组件，其中该半导体结构组合于该上表面上具有复数个纳米柱结构，该第一表面钝化层系藉由一第一原子层沉积(atomiclayerdeposition)制程沉积以覆盖该上表面上之该复数个纳米柱结构，并且该第二表面钝化层系藉由一第二原子层沉积制程沉积以覆盖该第一表面钝化层。

5.如权利要求1所述之光电组件，该半导体结构组合并且具有一下表面，该光电组件进一步包含：

一第三表面钝化层，该第三表面钝化层系形成以覆盖该半导体结构组合之该下表面，该第三表面钝化层具有一第三界面缺陷密度与一第三固定氧化层电荷；以及

一第四表面钝化层，该第四表面钝化层系形成以覆盖该第三表面钝化层，该第四表面钝化层具有一第四界面缺陷密度与一第四固定氧化层电荷；

其中该第三界面缺陷密度小于该第四界面缺陷密度，并且该第四固定氧化层电荷值大于该第三固定氧化层电荷值。

6.如权利要求5所述之光电组件，其中该半导体结构组合并且包含一p型态区域，该p

型态区域提供该下表面，并且该第四表面钝化层具有负电荷。

7.如权利要求5所述之光电组件，其中该半导体结构组合并且包含一n型态区域，该n

型态区域提供该下表面，并且该第四表面钝化层具有正电荷。

8.如权利要求1所述之光电组件，其制造方法包含下列步骤：形成一半导体结构组合，该半导体结构组合包含至少一p-n接面(p-njunction)并且

具有一上表面；形成一第一表面钝化层且覆盖于该半导体结构组合之该上表面上，其中该第一表面钝

化层具有一第一界面缺陷密度(interfacialstatedensity，Dit)与一第一固定氧化层电荷(fixedoxidecharge，Qf)；以及

形成一第二表面钝化层且覆盖于该第一表面钝化层上，其中该第二表面钝化层具有一第二界面缺陷密度与一第二固定氧化层电荷；

其中该第一界面缺陷密度小于该第二界面缺陷密度，并且该第二固定氧化层电荷值大于该第一固定氧化层电荷值。

9.如权利要求8所述之方法，其中该第一表面钝化层于形成在该半导体结构组合之上表面上后，进一步系于一退火温度下进行一退火处理，以降低该第一表面钝化层之第一界面缺陷密度。

10.如权利要求8所述之方法，其中该半导体结构组合并且包含一n型态区域，该n型态区域提供该上表面，并且该第二表面钝化层具有正电荷。