[发明专利]低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法、以及薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201510831028.4 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105355544A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 多晶 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 以及 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上沉积非晶硅层；
对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写；
对所述非晶硅层进行激光退火处理，使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，利用掩膜板对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写的步骤中，光的能量阈值为0.1～0.5mJ/cm2。
4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写之后还包括步骤：对所述非晶硅层进行脱氢处理。
5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述激光退火处理采用308nm波长的XeCl准分子激光器，所述激光退火处理的参数设置如下：激光的脉冲频率为400～600Hz，重叠率为92％～97％，能量密度为420～490mJ/cm2，脉冲时间为20～30nm。
6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写之前还包括步骤：对所述非晶硅层进行离子掺杂。
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成多晶硅薄膜，并通过构图工艺形成有源层；
其中，所述多晶硅薄膜通过权利要求1～6中任一所述的低温多晶硅薄膜的制备方法得到。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括如下步骤：
在所述有源层的上方形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源极和漏极，所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，对所述有源层的上方形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源极和漏极，具体包括：
在所述有源层的上方形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层的上方形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极；
在所述栅极上方形成层间绝缘层；
在所述栅极绝缘层及所述层间绝缘层上形成过孔；
在所述过孔内形成源极和漏极，并使所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接。
10.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管采用如权利要求8～9任一所述的方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利（惠州）智能显示有限公司，未经信利（惠州）智能显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510831028.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：全自动三叉轴万向节外圆磨床装置
- 下一篇：一种丝锥修磨装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
