[发明专利]低温多晶硅薄膜及薄膜晶体管的制备方法、以及薄膜晶体管在审

专利信息
申请号: 201510831028.4 申请日: 2015-11-24
公开(公告)号: CN105355544A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 陈卓;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 申请(专利权)人: 信利(惠州)智能显示有限公司
主分类号: H01L21/027 分类号: H01L21/027;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 邓云鹏
地址: 516000 广东省惠州市仲*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 低温 多晶 薄膜 薄膜晶体管 制备 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在基板上形成缓冲层;

在所述缓冲层上沉积非晶硅层;

对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写;

对所述非晶硅层进行激光退火处理,使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,利用掩膜板对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写的步骤中,光的能量阈值为0.1~0.5mJ/cm2

4.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写之后还包括步骤:对所述非晶硅层进行脱氢处理。

5.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,所述激光退火处理采用308nm波长的XeCl准分子激光器,所述激光退火处理的参数设置如下:激光的脉冲频率为400~600Hz,重叠率为92%~97%,能量密度为420~490mJ/cm2,脉冲时间为20~30nm。

6.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜的制备方法,其特征在于,对所述非晶硅层的预定区域进行光刻写之前还包括步骤:对所述非晶硅层进行离子掺杂。

7.一种薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在基板上形成多晶硅薄膜,并通过构图工艺形成有源层;

其中,所述多晶硅薄膜通过权利要求1~6中任一所述的低温多晶硅薄膜的制备方法得到。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,还包括如下步骤:

在所述有源层的上方形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源极和漏极,所述源极和所述漏极分别通过过孔与所述有源层连接。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法,其特征在于,对所述有源层的上方形成栅极绝缘层、栅极、层间绝缘层及源极和漏极,具体包括:

在所述有源层的上方形成栅极绝缘层;

在所述栅极绝缘层的上方形成栅极金属层,并通过构图工艺形成栅极;

在所述栅极上方形成层间绝缘层;

在所述栅极绝缘层及所述层间绝缘层上形成过孔;

在所述过孔内形成源极和漏极,并使所述源极和所述漏极分别与所述有源层连接。

10.一种薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管采用如权利要求8~9任一所述的方法制得。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利(惠州)智能显示有限公司,未经信利(惠州)智能显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510831028.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top