[发明专利]一种LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法在审
申请号: | 201510832133.X | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105428250A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 李彦睿;王春富;秦跃利 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 ltcc 表面 平坦 处理 方法 | ||
1.一种LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法,其具体包括以下的步骤:步骤一、将光敏干膜压贴在含有腔体的LTCC基板表面,使其覆盖基板的腔体区域和平面区域,再对光敏干膜表面进行整体曝光和显影,使得腔体区域边缘的光敏干膜溶解,整个腔体区域的干膜脱落,非腔体区域的干膜形成干膜保护层;步骤二、将硅胶溶胶涂覆在干膜保护层上以及腔体内,静置后将多余硅胶刮除,经过再一次静置后放入烘箱内烘烤固化硅胶,形成硅胶填充块;步骤三、使用有机溶液去除干膜保护层,然后在去除干膜保护层后的基板表面整体沉积连续的Au金膜。
2.如权利要求1所述的LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法,其特征在于所述曝光和显影采用曝光机进行。
3.如权利要求1所述的LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法,其特征在于所述将多余硅胶刮除的方法为使用刮刀紧贴干膜保护层将多余硅胶刮除。
4.如权利要求1所述的LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法,其特征在于所述有机溶液为丙酮。
5.如权利要求1所述的LTCC基板表面腔体平坦化处理的方法,其特征在于所述Au金膜采用磁控溅射设备实现整体沉积。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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