[发明专利]一种阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201510833304.0 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105259717A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 姚晓慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 张文娟;朱绘 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，其特征在于，包括多个阵列排布的像素单元，每一像素单元包括薄膜晶体管和公共电极，每一薄膜晶体管包括栅极、同层设置的源极和漏极，所述漏极与所述栅极重叠的区域形成了寄生电容，所述漏极与所述公共电极重叠的区域形成了存储电容，
其中，所述漏极与所述公共电极之间部分错位，所述部分错位使得所述存储电容的电容值可随着所述寄生电容的电容值的改变而改变，以使得所述阵列基板的回馈电压保持不变。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述漏极包括第一重叠部、第二重叠部，还包括连接所述第一重叠部和所述第二重叠部的连接部，所述第一重叠部与所述栅极形成所述寄生电容，所述第二重叠部与所述公共电极形成存储电容，所述第二重叠部相对于所述公共电极部分错位。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二重叠部相对于所述公共电极的错位方向与所述第一重叠部的延伸方向相同。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二重叠部在纵向方向上的末端突出于所述公共电极设置。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述漏极的第一重叠部向右延伸，所述漏极的第二重叠部相对于所述公共电极向右错位。
6.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括一个薄膜晶体管，所述漏极的第一重叠部向下延伸，所述漏极的第二重叠部相对于所述公共电极向下错位。
7.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述像素单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，
其中，所述第一薄膜晶体管的漏极的第一重叠部向上延伸，所述第一薄膜晶体管的漏极的第二重叠部相对于对应的公共电极向上错位；
所述第二薄膜晶体管的漏极的第一重叠部向右延伸，所述第二薄膜晶体管的漏极的第二重叠部相对于对应的公共电极向右错位。
8.根据权利要求5至7任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极与所述公共电极通过同一次构图工艺形成。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的阵列基板，还包括与所述阵列基板对位的彩膜基板。
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