[发明专利]四缝隙交指耦合调谐型微带天线

权利要求书

1.四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于设有接地金属板、介质基板、同轴线和 辐射金属层；

所述辐射金属层上刻蚀有交指耦合型缝隙左手结构，辐射金属层的几何中心和介质基板 相互重合，介质基板的背面接地，在接地金属板上刻蚀有4×4的正方形孔，形成EBG结构， 正方形孔按照等间距分布在介质基板的几何中心位置，所述接地金属板的几何中心位置向下 设有一圆孔，圆孔用于提供第三极化方向的馈电端口；辐射缝隙是刻蚀的左右一对交指耦合 型缝隙左手结构，左右一对交指耦合型缝隙左手结构结构相同，左右一对交指耦合型缝隙左 手结构上均设有2臂，交错等间距耦合，辐射金属层呈反镜像对称。

2.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述介质基板的相对 介电常数为2～6，长度为60～80mm，宽度为40～50mm，厚度为1.2～2.5mm。

3.如权利要求2所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述介质基板的相对 介电常数为4.4，长度为69.80±0.01mm，宽度为44.03±0.01mm，厚度为1.60±0.01mm。

4.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述接地金属板上刻 蚀的EBG结构，其每个正方形孔的边长为5.0～6.5mm，每个正方形孔的间距均相同，孔之间 的间距为3.5～4.5mm。

5.如权利要求4所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述接地金属板上刻 蚀的EBG结构，其每个正方形孔的边长为6.00±0.01mm,每个正方形孔的间距均相同，孔之 间的间距为4±0.01mm。

6.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述接地金属板上的 圆孔作为提供第三极化方向的馈电端口，圆孔半径为0.59±0.01mm，圆孔位于介质基板几何 中心位置向下2.50±0.01mm处。

7.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述辐射金属层为矩 形结构，其长为25～37mm，宽为18～28mm。

8.如权利要求7所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述辐射金属层为矩 形结构，其长为34.90±0.01mm，宽为23.35±0.01mm。

9.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于所述左右一对交指耦 合型缝隙左手结构的缝隙宽度处处相等，宽度为1.00±0.01mm，交指耦合型缝隙左手结构的 长为12.00±0.01mm，左右一对交指耦合型缝隙左手结构的间距为12.00±0.01mm，臂长为 6.88±0.01mm，两臂之间的间距为1.00±0.01mm，臂距离边界位置为4.5±0.01mm,交指耦 合型缝隙左手结构距离辐射金属层的下边距离为7.58±0.01mm。

10.如权利要求1所述四缝隙交指耦合调谐型微带天线，其特征在于在辐射金属层上刻 蚀有呈反镜像对称的平行四缝隙交指结构，所述结构两侧平行的两对缝隙构成四辐射缝隙， 两对辐射缝各向内伸出两条耦合缝，形成交指耦合型缝隙左手结构。