[发明专利]可见光折射率传感器及其加工方法

权利要求书

1.可见光折射率传感器，其特征在于其为3层结构，从下至上依次设有基片、纳米压印胶层、铬层和银层，所述纳米压印胶层涂布在基片的上表面，纳米压印胶层的上表面沉积均匀周期排列的微纳米金属圆孔洞阵列，铬层蒸镀在纳米压印胶层上，银层蒸镀在铬层上。

2.如权利要求1所述可见光折射率传感器，其特征在于所述纳米压印胶层的厚度为200～250nm；铬层的厚度为10～20nm；银层的厚度为200～250nm。

3.如权利要求1所述可见光折射率传感器，其特征在于所述周期为500～600nm。

4.如权利要求1所述可见光折射率传感器的加工方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将基片置于匀胶机中，采用旋涂的方式将紫外固化纳米压印胶均匀地涂布在基片上，烘烤后即在基片上形成纳米压印胶层；

2)纳米压印：将表面干净的中间聚合物软膜放在镍模板表面进行热纳米压印，得到中间聚合物软模板，在中间聚合物软模板表面得到与镍模板互补的纳米结构，以中间聚合物软模板为紫外纳米压印模板，将表面涂有纳米压印胶层的基片置于纳米压印光刻系统样品台上进行紫外纳米压印，在纳米压印胶层表面得到与中间聚合物模板互补的纳米结构；

3)用电子束蒸镀仪先蒸镀铬层，再蒸镀银层，即得可见光折射率传感器。

5.如权利要求4所述可见光折射率传感器的加工方法，其特征在于在步骤1)中，所述基片采用硅片。

6.如权利要求5所述可见光折射率传感器的加工方法，其特征在于所述硅片选择单面抛光的硅片，并按照标准清洗流程清洁。

7.如权利要求4所述可见光折射率传感器的加工方法，其特征在于在步骤1)中，所述旋涂的转速为2000r/min。

8.如权利要求4所述可见光折射率传感器的加工方法，其特征在于在步骤1)中，所述烘烤的条件是于95℃烘烤2min。