[发明专利]一种BMN薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510834266.0 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105420672A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 高虹 | 申请（专利权）人： | 盐城工学院 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 北京国坤专利代理事务所(普通合伙) 11491 | 代理人： | 姜彦 |
| 地址： | 224051 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 bmn 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种BMN薄膜的制备方法，其特征在于，该BMN薄膜的制备方法包括：
在阴极靶位置上安装BMN陶瓷靶材，将预处理的衬底固定在基板支架上，打开分子泵对溅射腔室进行抽真空；
到达本底真空度后，向溅射腔室内通入高纯的氩气，调节流量计使气压，加高压对基片再次进行清洗；
关闭高压，打开基片旋转电机，调节基片转速为30rpm；
衬底温度升高，关闭靶材档板，调节射频功率，预溅射3-5min；
通入高纯氧气，调节流量计，设定Ar/O2体积比，并使腔室气压达到实验的溅射气压4.0Pa；
调节基片电压为80-150V，打开档板，开始镀膜；
经过700℃氧气氛下退火30min得到晶化薄膜。
2.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，本底真空度为2.0×10-4Pa。
3.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气纯度为99.999％。
4.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，所述调节流量计使气压控制在1.8-2.0Pa，加高压对基片再次进行清洗5-10min。
5.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，所述调节射频功率至150W，预溅射3-5min。
6.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，所述氧气纯度99.999％。
7.如权利要求1所述的BMN薄膜的制备方法，其特征在于，所述Ar/O2体积比为2:1。
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