[发明专利]X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法

权利要求书

1.一种X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于，采用真空热蒸镀工艺制备微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：

(a)清洗衬底，洗净后置于热风循环干燥箱内烘干备用；

(b)利用真空热蒸镀工艺在光学玻璃衬底上制备具有连续致密微晶柱结构的微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏：制备CsI:Tl薄膜的原料选取纯度99.99％、Tl含量约为1.0mol％的CsI:Tl块材切片；将洗净备用的光学玻璃衬底固定在离蒸发源10～15cm处的工件盘上，待真空室的真空度抽至3×10-4Pa时充入氩气，调整氩气的流速使真空度维持在6.0×10-4Pa～9.0×10-4Pa范围内，工件盘以30～35r/m的转速匀速旋转，利用电阻丝加热衬底并使温度维持在95～105℃，然后打开蒸发电源制备薄膜闪烁屏，并用膜厚监控仪实时监控薄膜厚度，先将蒸发电流调至为110～120mA，待CsI:Tl薄膜生长至300～350nm厚时，再将蒸发电流调至90～95mA，直至薄膜闪烁屛的厚度在6～10微米后，关闭电阻丝和蒸发源的电源；

(c)薄膜闪烁屏制备完成后在氩气环境中静置10～12小时，再取出存储在热风循环干燥箱内。

2.根据权利要求1所述的X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于：步骤(a)中利用超声波清洗器清洗衬底。

3.根据权利要求1所述的X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于：步骤(a)中使用NaOH溶液、无水乙醇、去离子水作为清洗液清洗衬底。

4.根据权利要求1所述的X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于：步骤(a)中所述热风循环干燥箱的温度为50℃。

5.根据权利要求1所述的X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于：步骤(a)中所述热风循环干燥箱的鼓风功率为370W，利用鼓风系统驱动箱内氮气循环形成稳定的氮气环境。

6.根据权利要求1所述的X射线成像探测用微米级CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备方法，其特征在于：步骤(b)中蒸发源采用钼舟。