[发明专利]一种高性能复合磁体的制备方法

权利要求书

1.一种高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的制备方法包括如下步骤：

S1、分别按照SmCo合金和NdFeB合金的组成成分称量各元素原料，经真空熔炼、快淬分别制成SmCo薄带和NdFeB薄带；

S2、将SmCo薄带和NdFeB薄带依次进行均匀化热处理、粗破碎、氢爆、球磨，分别得粒度为3.0μm-5.0μm的SmCo微米晶磁粉和5.0μm-10.0μm的NdFeB微米晶磁粉；

S3、分别对SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉进行分散预处理、改性处理，然后通过溶液搅拌将高熔点金属化合物分别包覆在SmCo微米晶磁粉和NdFeB微米晶磁粉外；

S4、将经过包覆处理的NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉按比例混合成复合微米晶磁粉，将复合微米晶磁粉先压制成型，再经等静压处理，然后进行烧结固溶、时效处理，制得本发明的高性能复合磁体成品。

2.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述的SmCo合金为SmCo₅、Sm₂Co₁₇或SmCo₇型磁体。

3.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述NdFeB合金的组成成分及质量百分比为Nd：26.00％-30.00％、B：1.00％-2.50％、Si：0.80％-1.50％、Ga：0.10％-0.20％、Dy：0.10％-0.50％、V：0.10％-0.30％、余量为Fe。

4.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述均匀化热处理的温度为950-980℃，均匀化热处理的时间为1-3h。

5.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述高熔点金属化合物包括高熔点金属卤化物、高熔点金属氢化物、高熔点金属氧化物。

6.根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，所述高熔点金属为Pr、Cu、Mn、Cr、Ni、Mo中的一种或多种。

7.根据权利要求5所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，高熔点金属化合物在SmCo微米晶磁粉外形成的包覆层的厚度为10-20nm，在NdFeB微米晶磁粉形成的包覆层的厚度为30-50nm。

8.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，复合微米晶磁粉中NdFeB微米晶磁粉与SmCo微米晶磁粉的质量百分比分别为60-90％和10-40％。

9.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中等静压处理的压力为250-350MPa。

10.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的烧结固溶为将等静压处理后的生坯先在500-600℃下预烧2.0-3.0h，然后以15-20℃/min的速度升温至1180-1220℃烧结0.5-2h，然后于1150℃-1180℃固溶2-3小时，并快速风冷到室温，得到烧结坯。

11.根据权利要求1所述的高性能复合磁体的制备方法，其特征在于，步骤S4中所述的时效处理为将烧结固溶得到的烧结坯由室温升温到820-840℃保温时效5-6小时，随后以1-3℃/min的冷却速率慢冷到520℃-600℃，并保温2-4小时；其中，时效处理时的升温速度为10-30℃/min。