[发明专利]一种光刻工艺对准方法有效
| 申请号： | 201510836057.X | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105353592B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 万浩;陈保友;许刚;盛二威;王猛 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F9/00 | 分类号： | G03F9/00;G03F1/42 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 工艺 对准 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种光刻工艺对准方法，其特征在于，包括：
提供一待光刻半导体衬底；
于所述半导体衬底上制备预对准图形；
沉积硬光罩膜覆盖所述半导体衬底的表面，以在所述预对准图形上形成预对准标记；
基于所述预对准标记对所述半导体衬底进行前层对准操作后，继续对所述半导体衬底进行所述光刻工艺；
其中，所述硬光罩膜具有吸光特性；
利用所述硬光罩膜沉积形成的形貌来作对准，对准光利用沉积膜层形成的起伏形貌进行光波干涉从而实现前层对准操作。
2.如权利要求1所述的光刻工艺对准方法，其特征在于，所述预对准图形包括若干条状平行凹槽。
3.如权利要求2所述的光刻工艺对准方法，其特征在于，所述平行凹槽的深度小于120nm。
4.如权利要求1所述的光刻工艺对准方法，其特征在于，所述硬光罩膜为Kodiak膜。
5.如权利要求1所述的光刻工艺对准方法，其特征在于，利用红绿光干涉进行所述前层对准操作。
6.如权利要求5所述的光刻工艺对准方法，其特征在于，在进行所述前层对准操作时，对准光利用所述预对准图形形成的起伏形貌进行光波干涉从而实现所述前层对准操作。
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