[发明专利]一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计在审
| 申请号： | 201510836301.2 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105388353A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 解磊;代刚;李顺;梁堃;孙鹏;刘鑫 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院电子工程研究所 |
| 主分类号： | G01R19/00 | 分类号： | G01R19/00 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人： | 蒋斯琪 |
| 地址： | 621900 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 噪声 soi 晶体管 电流 测试 系统 设计 | ||
1.一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：包括SOI晶体管结构测试单元和至少两个噪声测试电阻，噪声测试电阻与SOI晶体管结构测试单元串联，SOI晶体管结构测试单元的两端至少有一个噪声测试电阻；
该测试系统设计的测试过程为：在辐射条件下，光电流流过SOI晶体管结构测试单元的晶体管漏极端口，通过与SOI晶体管结构测试单元串联的噪声测试电阻测试得到两端电势差，然后将电势差除以噪声测试电阻的电阻值，得到在环境噪声干扰下总的光电流，然后在数据处理过程中去掉噪声测试电阻导线上测得的环境噪声，则得到SOI晶体管结构测试单元中产生的总的光电流，通过除以SOI晶体管结构测试单元中的晶体管个数得到单个晶体管的光电流。
2.根据权利要求1所述的一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：所述SOI晶体管结构测试单元是单个SOI晶体管测试模块，或者是若干个并联的SOI晶体管模块形成的测试单元，每个SOI晶体管测试模块的端口包括晶体管栅极连接、晶体管漏极连接、晶体管源极连接和晶体管体连接。
3.根据权利要求2所述的一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：所述每个SOI晶体管测试模块的栅极G、漏极D、源极S和B极均通过带有ESD保护的IOPAD连接到外部，不同模块的IOPAD所需的电源VDD和地GND的电压源相互独立。
4.根据权利要求1所述的一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：所述SOI晶体管结构测试单元中晶体管的个数范围为100—100000个。
5.根据权利要求1所述的一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：不同的SOI晶体管测试模块包含有不同结构的SOI晶体管结构，所述SOI晶体管结构测试单元的类型包括浮体条形栅、体接触T型栅及体接触H型栅的晶体管结构。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的一种抗噪声SOI晶体管光电流测试系统设计，其特征在于：对于N型SOI晶体管采用漏端电阻电压采样的方式测试实验数据；对于P型SOI晶体管采用源端电阻电压采用的方式测试实验数据。
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