[发明专利]一种铜基底超疏水表面的制备方法

权利要求书

1.一种铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所述铜基底超疏水表 面的制备方法包括：

在铜基底表面构建微米级粗糙结构，得到第一表面；

对所述第一表面进行羟基化处理，得到第二表面；

将所述铜基底置于有机溶液中，使所述第二表面发生缩合反应，得到第三 表面；

去除所述第三表面残留的有机溶液，得到铜基底超疏水表面。

2.根据权利要求1所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述在铜基底表面构建微米级粗糙结构，得到第一表面为：

利用超声磁致伸缩振荡机对所述铜基底进行空蚀，得到所述第一表面。

3.根据权利要求1所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述对所述第一表面进行羟基化处理，得到第二表面包括：

清除所述第一表面的杂质并进行干燥，得到第四表面；

利用紫外灯对所述第四表面进行照射，得到所述第二表面。

4.根据权利要求3所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述清除所述第一表面的杂质并进行干燥，得到第四表面包括：

依次使用丙酮、乙醇和超纯水对所述第一表面进行超声清洗，得到第五表 面；

使用高纯氮气吹干所述第五表面，得到所述第四表面。

5.根据权利要求4所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述依次使用丙酮、乙醇和超纯水对所述第一表面进行超声清洗的时长均为3分 钟。

6.根据权利要求3所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述利用紫外灯对所述第四表面进行照射的时长为60分钟。

7.根据权利要求1所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述有机溶液为将全氟葵烷基三氯硅烷滴入异辛烷中，使所述全氟葵烷基三氯硅 烷发生水解反应所得溶液。

8.根据权利要求7所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于，所 述全氟葵烷基三氯硅烷与所述异辛烷的体积比为1.5∶100。

9.根据权利要求1-8任一项权利要求所述的铜基底超疏水表面的制备方法， 其特征在于，所述去除所述第三表面残留的有机溶液，得到铜基底超疏水表面 包括：

依次用丙酮、乙醇、超纯水洗涤所述第三表面，并将所述第三表面置于氮 气中进行干燥，得到第六表面；

将所述第六表面置于真空干燥箱中进行干燥和保温，得到所述铜基底超疏 水表面。

10.根据权利要求9所述的铜基底超疏水表面的制备方法，其特征在于， 所述干燥箱中的温度为90摄氏度，保温时长为30min。