[发明专利]摄像装置有效
申请号: | 201510836849.7 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105742303B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 村上雅史;西村佳寿子;阿部豊;松长诚之;佐藤好弘;平濑顺司 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 安香子;黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,其特征在于,具备:
单位像素单元,包括对入射光进行光电变换并生成信号电荷的光电变换部、将上述信号电荷进行蓄积的电荷蓄积区域、检测与上述信号电荷相应的电信号的信号检测电路、以及将第1电容和电容值比上述第1电容大的第2电容串联连接而成的电容电路;以及
反馈电路,形成使上述电信号负反馈的反馈路径;
上述信号检测电路包括第1晶体管和第2晶体管,上述第1晶体管的栅极连接于上述电荷蓄积区域,上述第1晶体管将与上述电荷蓄积区域的电位相应的信号电压进行放大并输出,上述第2晶体管的源极及漏极中的一方连接于上述电荷蓄积区域;
上述反馈电路在上述反馈路径的一部分中包含上述第1晶体管及反向放大器,使上述电信号经由上述第1晶体管及上述反向放大器向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方负反馈;
上述电容电路设置在上述电荷蓄积区域与基准电位之间。
2.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述第1电容连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间。
3.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述第2电容连接于上述第2晶体管的上述源极或上述漏极的至少一方。
4.如权利要求2所述的摄像装置,其特征在于,
通过将上述第2晶体管导通截止,切换上述电荷蓄积区域的电位的变化量。
5.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述信号检测电路还包括第3晶体管,该第3晶体管将上述第1晶体管的输出向上述反馈电路有选择地输出。
6.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述信号检测电路还包括第4晶体管,该第4晶体管将由上述反馈电路反馈的上述电信号向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方有选择地传递。
7.如权利要求1所述的摄像装置,其特征在于,
上述信号检测电路还包括第4晶体管,该第4晶体管连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间,将由上述反馈电路反馈的上述电信号有选择地向第1电容传递。
8.一种摄像装置,其特征在于,具备:
单位像素单元,包括对入射光进行光电变换并生成信号电荷的光电变换部、将上述信号电荷进行蓄积的电荷蓄积区域、检测与上述信号电荷相应的电信号的信号检测电路、以及将第1电容和电容值比上述第1电容大的第2电容串联连接而成的电容电路;以及
反馈电路,形成使上述电信号负反馈的反馈路径;
上述信号检测电路包括第1晶体管和第2晶体管,上述第1晶体管将与上述电荷蓄积区域的电位相应的信号电压进行放大并输出,上述第2晶体管的源极及漏极中的一方连接于上述电荷蓄积区域;
上述第1电容连接在上述第2晶体管的上述源极与上述漏极之间;
上述反馈电路使上述电信号向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方负反馈;
上述电容电路设置在上述电荷蓄积区域与基准电位之间。
9.如权利要求8所述的摄像装置,其特征在于,
上述反馈电路在上述反馈路径的一部分中包含上述第1晶体管及反向放大器,使上述电信号经由上述第1晶体管及上述反向放大器向上述第2晶体管的上述源极及上述漏极中的另一方负反馈。
10.如权利要求8所述的摄像装置,其特征在于,
通过将上述第2晶体管导通截止,切换上述电荷蓄积区域的电位的变化量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的