[发明专利]一种万代兰原球茎快速增殖培养基在审
| 申请号： | 201510843185.7 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105230498A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 黄庆梅 | 申请（专利权）人： | 广东粤三胖农业科技有限责任公司 |
| 主分类号： | A01H4/00 | 分类号： | A01H4/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510310 广东省清远市清远高*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 万代 球茎 快速 增殖 培养基 | ||
1.一种万代兰快速增殖培养基，其特征在于：以MS培养基为基础培养基，并添加有ZT（玉米素）、2,4-D（2,4-二氯苯氧乙酸）、还原型谷胱甘肽、琼脂粉、蔗糖。
2.根据权利要求1所述的万代兰快速增殖培养基，其特征在于：ZT（玉米素）1～5mg/L，2,4-D（2,4-二氯苯氧乙酸）的浓度为0.2～0.6mg/L，还原型谷胱甘肽的浓度为50～150mg/L，琼脂粉的浓度为7～8g/L，蔗糖的浓度为20～30g/L。
3.根据权利要求2所述的万代兰快速增殖培养基，其特征在于：ZT（玉米素）3mg/L，2,4-D（2,4-二氯苯氧乙酸）的浓度为0.4mg/L，还原型谷胱甘肽的浓度为100mg/L，琼脂粉的浓度为7.5g/L，蔗糖的浓度为25g/L。
4.根据权利要求1至3的其中之一所述的万代兰增殖培养基，其特征在于：所述万代兰增殖培养基的pH值为6.0~7.0。
5.根据权利要求4的所述的万代兰增殖培养基，其特征在于：所述万代兰增殖培养基的pH值为6.5。
6.根据权利要求1至3的其中之一所述的万代兰增殖培养基，其特征在于：所述的万代兰增殖培养基的配制方法包括以下步骤：
步骤S001：配制MS基础培养基，并添加蔗糖、2,4-D（2,4-二氯苯氧乙酸）、琼脂粉，120~121℃高温灭菌20~21分钟，备用；
步骤S002：用无水乙醇溶解ZT（玉米素），再用纯化水稀释至所需浓度，还原型谷胱甘肽用纯化水溶解并稀释至所需浓度，过滤灭菌，备用；
步骤S003：待高温灭菌后的MS培养基温度下降至50~60℃时加入已过滤灭菌的ZT（玉米素）和还原型谷胱甘肽，混匀，冷却凝固。
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