[发明专利]光电测距仪和包括光电测距仪的测量仪器

权利要求书

1.一种光电测距仪(1)，所述光电测距仪至少包括：

·发光装置(2)，所述发光装置用于发射至少一个光信号；

·接收器(3)，所述接收器用于检测从目标物体(5)散射回的光信号；以及

·控制与估计组件，所述控制与估计组件用于确定与所述目标物体(5)的距离，其中，所述确定基于脉冲渡越时间测量法，

其特征在于，

所述发光装置(2)至少包括

·作为主光源(11)的光谱宽带光源；以及

·光学放大器(14)，所述光学放大器(14)设置在所述主光源(11)的下游，其中，所述光学放大器(14)的有源泵浦介质用作没有谐振器的光放大器，其中，所述光学放大器被精确地设置并实施成利用具有短和/或长占空比的调制序列来进行操作。

2.根据权利要求1所述的光电测距仪，其特征在于

所述光电测距仪用于激光扫描仪、激光跟踪仪、断面仪、经纬仪或全站仪。

3.根据权利要求1所述的光电测距仪，其特征在于

所述至少一个光信号是脉冲光信号。

4.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)能够按单脉冲模式操作。

5.根据权利要求1或4所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)按突发模式操作。

6.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)被实施为超辐射发光二极管SLD，或者实施为多个超辐射发光二极管SLD的组合。

7.根据权利要求6所述的光电测距仪，

其特征在于

所述超辐射发光二极管SLD具有7nm到50nm之间的光谱发射宽度。

8.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)被实施为高功率发光二极管。

9.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)被实施为发射具有多个谱线的多模和多色光的半导体激光二极管。

10.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)被实施为发射空间多模和多色光的宽条纹激光二极管或垂直腔表面发射激光器VCSEL激光二极管。

11.根据权利要求10所述的光电测距仪，

其特征在于

所述宽条纹激光二极管或垂直腔表面发射激光器VCSEL激光二极管具有10μm至300μm之间的空间发射宽度。

12.根据权利要求中1所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)能够直接被亚纳秒脉冲调制。

13.根据权利要求中12所述的光电测距仪，

其特征在于

所述主光源(11)被实施为超辐射发光二极管SLD。

14.根据权利要求1所述的光电测距仪，

其特征在于

被设置在所述主光源(11)下游的所述光学放大器(14)被实施为掺杂有Y、Yb、Pr、Ho、Tm、Er或其组合的光纤放大器。

15.根据权利要求14所述的光电测距仪，

其特征在于

所述光学放大器(14)被实施为玻璃光纤放大器。

16.根据权利要求14所述的光电测距仪，

其特征在于

所述光纤放大器具有大于衍射极限的光纤芯径。