[发明专利]用于DNA原位合成的电化学芯片及DNA原位合成方法

权利要求书

1.一种用于DNA原位合成的电化学芯片，其特征在于，包括反应区，该反应区包括电极区与涂覆于该电极区表面的高分子聚合物，所述电极区包括至少一个铂电极，所述高分子聚合物在所述电极的另一侧具有碱基序列连接端，并且此碱基序列连接端连接有保护基团。

2.一种基于权利要求1所提供的电化学芯片进行DNA原位合成方法，其特征在于，包括

a)在所述电化学芯片的反应区的外侧表面覆盖电解质溶液；

b)将选定电极置于高电位，从而在所述电极周围、反应液中产生氢离子；

c)连接于所述电化学芯片表面碱基序列连接端的保护基团在所述氢离子提供的局部酸性环境中脱去；

d)恢复所述电极的电位，将所述反应区的外侧表面的电解质溶液替换为反应液，所述反应液呈碱性并溶解有一端连有保护基团的碱基；

e)所述一端连有碱基保护基团的碱基连接到所述碱基序列连接端；

f)去除所述反应液；

g)重复步骤a)至f)，直至合成所需的碱基序列。

3.根据权利要求2所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述电解质溶液呈碱性。

4.根据权利要求2所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，步骤d)恢复所述电极的电位，将所述反应区的外侧表面的电解质溶液替换为反应液，所述反应液反应液呈碱性并溶解有一端连有保护基团的碱基包括

将所述电极的电位置于零电位；

吸取所述电解质溶液；

使用第一缓冲液冲洗所述反应区的外侧表面；

在所述反应区的外侧表面覆盖反应液，其中溶解有一端连有保护基团的碱基。

5.根据权利要求4所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述第一缓冲液为醋酸盐缓冲液、碳酸盐缓冲液、柠檬酸盐缓冲液、HEPES缓冲液、MOPS缓冲液、磷酸盐缓冲液、TRIS缓冲液或碘酸钾溶液。

6.根据权利要求4所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述反应液呈碱性。

7.根据权利要求2所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，步骤f)去除所述反应液包括

吸取所述反应液；

使用第二缓冲液冲洗所述反应区的外侧表面。

8.根据权利要求2所述的电化学芯片DNA原位合成方法，其特征在于，所述第二缓冲液为醋酸盐缓冲液、碳酸盐缓冲液、柠檬酸盐缓冲液、HEPES缓冲液、MOPS缓冲液、磷酸盐缓冲液、TRIS缓冲液或碘酸钾溶液。