[发明专利]双沟道FinFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种双沟道FinFET器件，其特征在于，包括：基片、第一沟道、源漏区、第一钝化层、第二沟道、第二钝化层及栅极结构，其中，所述第一沟道及源漏区均形成在所述基片内，所述源漏区分别位于所述第一沟道的两端，所述第一钝化层、第二沟道、第二钝化层及栅极结构依次形成在所述第一沟道及源漏区上，所述第一钝化层和第二钝化层为氟化石墨烯，第二沟道为石墨烯。

2.如权利要求1所述的双沟道FinFET器件，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层、栅极及侧墙，所述栅介质层形成在所述第二钝化层上，所述栅极形成在所述栅介质层上，所述侧墙形成在所述栅介质层及栅极的两侧。

3.如权利要求2所述的双沟道FinFET器件，其特征在于，所述栅介质层为二氧化硅、氧化铝、氧化锆或氧化铪，其厚度范围是1nm～3nm。

4.如权利要求2所述的双沟道FinFET器件，其特征在于，所述栅极材质为NiAu或CrAu，其厚度范围是100nm～300nm。

5.如权利要求2所述的双沟道FinFET器件，其特征在于，还包括源漏电极，所述源漏电极形成在所述侧墙的两侧，位于所述源漏区之上。

6.如权利要求1所述的双沟道FinFET器件，其特征在于，所述基片为绝缘体上硅或者绝缘体上锗。

7.一种双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供基片，所述基片上形成有鳍形结构，作为第一沟道；

在所述鳍形结构上依次形成第一钝化层、第二沟道、第二钝化层、栅介质层及栅极，所述第一钝化层和第二钝化层均为氟化石墨烯，第二沟道为石墨烯；

在所述基片内形成源漏区，所述源漏区位于所述栅极两侧的基片内；

在所述栅极及栅介质层两侧形成侧墙。

8.如权利要求7所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第一钝化层的形成步骤包括：

在所述鳍形结构表面形成石墨烯；

对所述石墨烯进行氟化处理，形成氟化石墨烯作为第一钝化层。

9.如权利要求7所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述第二沟道及第二钝化层的形成步骤包括：

在所述第一钝化层表面形成石墨烯；

对所述石墨烯进行表面部分氟化处理，形成氟化石墨烯作为第二钝化层，所述石墨烯作为第二沟道。

10.如权利要求8或9所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述氟化处理采用CF₄或C₄F₈对石墨烯进行等离子体处理。

11.如权利要求8或9所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，采用CVD、PVD、ALD、MBE或者MEE工艺形成石墨烯。

12.如权利要求7所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述基片的形成步骤包括：

提供绝缘体上硅或者绝缘体上锗，并进行N型或者P型离子注入形成阱区；

对所述绝缘体上硅或者绝缘体上锗进行干法刻蚀，形成鳍形结构。

13.如权利要求7所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述栅介质层采用CVD或者ALD工艺形成。

14.如权利要求7所述的双沟道FinFET器件的制造方法，其特征在于，所述栅极采用PVD、MOCVD或者ALD工艺形成。