[发明专利]一种Ti基高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种Ti基高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，该微波介质陶瓷的化学组成为：0.9(1-x)SrO-0.1(1-x)CaO-x/4Li₂O-x/2CeO₂-TiO₂，其中0.70≤x≤0.80。

2.根据权利要求1所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，所述的微波介质陶瓷中，以钙钛矿结构为基础，Sr、Ca、Li、Ce占据A位，Ti占据B位。

3.根据权利要求1所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的相对介电常数为140～158，微波性能Qf＝1,350GHz～1,640GHz，谐振频率温度系数为-80ppm/℃～+80ppm/℃。

4.一种Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)按0.9(1-x)SrO-0.1(1-x)CaO-x/4Li₂O-x/2CeO₂-TiO₂式中的摩尔比，取锶、钙和锂的碳酸盐以及铈和钛的氧化物，混合后经一次球磨，然后烘干、过筛并压制成块状体，在1150℃下保温4.5h，得到样品烧块；其中，0.70≤x≤0.80；

2)将样品烧块粉碎后经二次球磨，再经烘干、造粒、过筛，然后将过筛后的颗粒压制成型，在1350℃下烧结2h成瓷，得到Ti基高介电常数微波介质陶瓷。

5.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的锶、钙和锂的碳酸盐分别为SrCO₃、CaCO₃及Li₂CO₃；铈和钛的氧化物分别为CeO₂和TiO₂。

6.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，在进行一次球磨和二次球磨时，每次球磨的时间为4h～5h，烘干的温度为100℃～120℃。

7.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的过筛，步骤1)为过120目的筛网，步骤2)为双层过筛：过60目与120目的筛网。

8.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的造粒是将粉体与聚乙烯醇的水溶液混合，然后制成微米级的球形颗粒。

9.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤2)的烧结是在空气氛围下的烧结。

10.根据权利要求4所述的Ti基高介电常数微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述的步骤2)的压制成型是压制成块状或圆柱状。