[发明专利]一种充电保护及识别电路及待充电设备在审
申请号: | 201510844625.0 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN105305565A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 沈煜;陈晓龙 | 申请(专利权)人: | 英特格灵芯片(天津)有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H01M10/48 |
代理公司: | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人: | 陈霁 |
地址: | 300457 天津市滨海新区天津开发*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 充电 保护 识别 电路 设备 | ||
1.一种充电保护及识别电路,包括:端口(101)、第一开关(K1)、内部单元(105)、高压检测单元(102)、充电识别单元(104)和逻辑控制单元(103);其中,
所述内部单元(105),用于在所述端口(101)处提供第一等效电阻;
所述端口(101),用于接收待检测信号(Vsig),以及通过所述第一开关(K1)与所述内部单元(105)连接,形成信号通路;
所述高压检测单元(102),用于对待检测信号(Vsig)的输入电压(V)进行检测,将所述输入电压(V)与参考电压(VREF)作对比产生对比结果(V1),并根据所述对比结果(V1)产生第一开关信号(F1)或第二开关信号(F2);
所述逻辑控制单元(103),用于根据所述对比结果(V1)关闭或开启;
所述充电识别单元(104),用于根据所述待检测信号(Vsig)的输入电压(V)在所述端口(101)处提供第二等效电阻或第三等效电阻。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述逻辑控制单元(103)能够接收待充电设备产生的控制信号(TR1),并根据所述控制信号(TR1)与所述对比结果(V1)产生第一使能信号(Y1)和第二使能信号(Y2);其中,所述第一使能信号(Y1)用于控制所述高压检测单元(102)的开启和关闭,所述第二使能信号(Y2)用于控制所述充电识别单元(104)的开启和关闭。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述充电识别单元(104)包括:第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一电容(C1)、第二开关(K2)和第三开关(K3);其中,
所述第一电阻(R1)与所述第二开关(K2)串联后连接在所述端口(101)与地之间,所述第三开关(K3)与所述第二电阻(R2)串联后连接在所述端口(101)与地之间,所述第一电容(C1)的正向输入端与所述第三开关(K3)连接,所述第一电容(C1)的负向输出端接地;所述第一电容(C1)用于稳定所述充电识别单元(104)的工作电压;
若输入电压(V)大于所述参考电压(VREF),则所述高压检测单元(102)产生第二开关信号(F2),所述第一开关(K1)根据所述第二开关信号(F2)断开,切断所述信号通路,所述第一电阻(R1)为所述第二等效电阻;
若所述电路无供电,所述第三开关(K3)闭合,所述第三开关(K3)的电阻及所述第二电阻(R2)之和为所述第三等效电阻。
4.根据权利要求1或3所述的电路,其特征在于,所述第一开关(K1)、所述第二开关(K2)或所述第三开关(K3)由CMOS传输门或MOS管实现。
5.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述参考电压(VREF)由电阻分压产生、带隙基准电路产生或MOS管产生。
6.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述充电识别单元(104)能够在所述待充电设备的控制下断开或导通与所述端口(101)的连接。
7.一种待充电设备,其特征在于,所述设备包括权利要求1所述的充电保护及识别电路。
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