[发明专利]一种低碳低熔点硅氮合金生产方法

权利要求书

1.一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于硅氮合金成分含量为C≤0.5%,Si35～50%,N20～30%,Fe10～20%，Mn2～10%,Ca3～8%,制备时将高碳硅铁配加少量氧化剂以脱碳，加入适量融合剂以降低熔点，并置于氮气气氛下加热氮化，获得碳含量小于0.5%，熔点低于1500℃的硅氮合金。

2.根据权利要求1所述一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于，氧化剂为铁皮、铁矿石、锰矿石，融合剂为萤石、石灰、膨润土。

3.根据权利要求1所述一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于，高碳硅铁粉与其余各原料总和的配比范围是：5:1～10:1，实际比例依据原料种类和产品需求确定；氮化后成分与配比有关，其中氧化剂的配比依据高碳硅铁含碳量计算确定，以化学当量的95~120%配入，混料中高碳硅铁粉比例减少，产品中氮和硅的含量会相应减少，合金的熔点也会相应的变化。

4.根据权利要求1所述一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于，其工业生产炉为间歇式梭式窑、真空炉或其他完全氮气氛炉，自蔓延反应釜；对于间歇式梭式窑，必须先抽真空，再充氮换气，氮气氛下加热。

5.根据权利要求1-4之一所述一种低碳低熔点硅氮合金生产方法，其特征在于，采用间歇式梭式窑具体生产步骤如下：

①将普通的75高碳硅铁、铁皮、萤石分别破碎成350～70微米的粉末，

②配比混料，根据高碳硅铁中碳含量配加铁皮粉末，以C+FeO=Fe+CO反应为基准，按FeO过量10%计算，C：FeO=1:7；加入脱水干燥的萤石5～10%；

③将充分混合的原料放入密闭的氮化炉内，炉内先预抽真空，充氮置换气氛为完全氮气氛，

④逐步加热，分别在700～1300℃每200℃不同温度保持一段时间，在1200～1300℃氮化5～20小时，最高温度控制不要超过1400℃，⑤气氛压力保持在0.01～0.04MPa,氮化结束后，氮气保护至600℃以下出炉。