[发明专利]一种低失重钕铁硼磁体及其制备方法在审
申请号: | 201510845805.0 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105427993A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 潘道良;苏广春;关井和;胡剑 | 申请(专利权)人: | 宁波科星材料科技有限公司 |
主分类号: | H01F1/057 | 分类号: | H01F1/057;H01F41/02;C22C38/16;C22C33/02;C21D6/00;C23F17/00 |
代理公司: | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人: | 张向飞 |
地址: | 315145 浙江省宁波*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 失重 钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
1.一种低失重钕铁硼磁体,其特征在于,所述低失重钕铁硼磁体主要由以下成分(以质量百分比计)组成:Nd:27%-32.5%,B:1%-1.2%,Co:2%-3%,合金元素M1:0.15%-2.75%,合金元素M2:0.05%-1.1%,稀土元素(排除稀土元素Nd):0.7%-1.3%,余量为Fe。
2.根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体,其特征在于,所述合金元素M1为Al、Cu、Zn、Ga中的两种及以上;其中,Al的添加量为钕铁硼磁体的0.1%-1.5%,Cu的添加量为钕铁硼磁体的0.05%-0.25%,其余元素的添加量均为钕铁硼磁体的0%-0.5%。
3.根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体,其特征在于,所述合金元素M2为Mo、Nb、Zr中的一种或多种;其中,Zr的添加量为钕铁硼磁体的0.05%-0.1%,其余元素的添加量均为钕铁硼磁体的0%-0.5%。
4.根据权利要求1所述的一种低失重钕铁硼磁体,其特征在于,所述稀土元素为La、Gd中的一种或两种。
5.根据权利要求4所述的一种低失重钕铁硼磁体,其特征在于,所述稀土元素由La和Gd按质量比为(2-10):1混合而成。
6.一种低失重钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,所述制备方法主要包括以下步骤:
S1、按钕铁硼磁体的组成成分以及质量百分比配比原料并进行熔炼,熔炼完全后浇注成甩带;
S2、将上述得到的甩带进行氢碎和气流磨,制成粉料;
S3、将上述粉料在惰性气体保护下放入成型压机模具中加磁场进行取向,取向后压制成型、退磁并真空封装,将真空封装的生坯放入等静压机中加压10-25MPa、保压2-6分钟后取出;
S4、将上述成型后得到的生坯放入烧结炉中在高温下进行烧结,然后进行一次回火和风冷,风冷后的生坯进行二次回火后取出,得到低失重钕铁硼磁体坯体;
S5、将上述取出的低失重钕铁硼磁体坯体表面进行金属电镀,形成表面金属镀层,并对金属镀层进行磷化处理,磷化处理后再涂覆一层有机涂层,得到低失重钕铁硼磁体。
7.根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述粉料的粒径为3-5μm。
8.根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤S4中烧结温度控制在1050-1150℃,烧结时间控制在3-5h。
9.根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤S4中一次回火温度控制在850-950℃,一次回火时间控制在2-3h;二次回火温度控制在550-580℃,二次回火时间控制在4-5h。
10.根据权利要求6所述的一种低失重钕铁硼磁体的制备方法,其特征在于,步骤S5中所述金属镀层为Zn、Ni、Cu、Cr中的一种,所述有机涂层为环氧树脂涂层、丙烯酸树脂涂层、聚酰胺树脂涂层中的一种。
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