[发明专利]一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法

权利要求书

1.一种硅异质结太阳能电池的界面处理方法，其特征在于：

S1、在氢化非晶硅i膜层的沉积腔室中沉积氢化非晶硅i膜层；

执行步骤S1后，在所述氢化非晶硅i膜层的沉积腔室中对所述氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理；

S2、进行下述任一或任意组合的步骤：

A对传送到氢化非晶硅n膜层的沉积腔室中的所述氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在所述氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅n膜层；

B对传送到氢化非晶硅p膜层的沉积腔室中的所述氢化非晶硅i膜层进行氢等离子体界面处理，在所述氢化非晶硅i膜层上沉积氢化非晶硅p膜层；

所有所述的氢等离子体界面处理的参数设置均为：功率密度为0.03至0.2瓦/平方厘米，压强为1至5托，处理时间为50至300秒。

2.如权利要求1 所述的界面处理方法，其特征在于：所有所述的氢等离子体界面处理均为氢等离子体界面断辉处理或氢等离子体界面不断辉处理。

3.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于：硅异质结太阳能电池的界面处理采用如权利要求1至2任意一项所述的方法进行处理。