[发明专利]具有可调整的低击穿电压的齐纳二极管有效
| 申请号： | 201510846391.3 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN105990453B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | R·西莫拉;P·弗纳拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体(鲁塞)公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;董典红 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 可调整 击穿 电压 齐纳二极管 | ||
【权利要求书】：
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