[发明专利]超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法

权利要求书

1.一种超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其特征在于步骤如 下：

步骤1：将成型纤维预制体置于化学气相渗透炉中，采用CVI法制备陶瓷界面层；

步骤2：通过化学气相渗透法沉积陶瓷基体对纤维预制体进行致密化处理，相对 密度达到30％～70％；

步骤3：采用超短脉冲激光在纤维预制体上加工微孔；所述微小孔在纤维预制体 上均匀分布，孔距≥3倍微孔直径；

步骤4：采用化学气相渗透法沉积基体对加工后的复合材料进行进一步致密化， 相对密度达到95％以上。

2.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述步骤3中采用超短脉冲激光在纤维预制体上加工微小孔参数：波 长800nm、脉宽300fs、重复频率100KHz、线扫描速度800μm/s、线间距30μm， 功率4W～4.5W，以螺旋状路径逐层加工。

3.根据权利要求1或2所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法， 其特征在于：所述步骤3中超短脉冲激光为：纳秒激光、皮秒激光或飞秒激光。

4.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述步骤3中的微孔为：孔径为100～1000μm的圆孔、边长为100～1000μm 的方孔、或轮廓为100～1000μm的其他形状的微小孔。

5.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述成型纤维预制体结构为：1维、2维、2.5维或3维。

6.根据权利要求1或5所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法， 其特征在于：所述纤维为陶瓷纤维。

7.根据权利要求1或5所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法， 其特征在于：所述纤维为：碳纤维、碳化硅纤维、硼纤维或氧化物纤维。

8.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述成型纤维预制体的制备方法为：叠层、编织或针刺。

9.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述步骤1中制备陶瓷界面层的材料为：热解碳或氮化硼。

10.根据权利要求1所述超短脉冲激光加工辅助CVI制备陶瓷基复合材料的方法，其 特征在于：所述步骤2中通过化学气相渗透法沉积陶瓷基体中的陶瓷基体为：碳 化硅基体、氮化硅基体、氮化硼基体、碳化硼基体或硅碳氮基体。