[发明专利]GF1结构的电容触摸屏及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201510847273.4 申请日: 2015-11-27
公开(公告)号: CN105468218B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 李飞;温文超;贾仁宝;梁家和 申请(专利权)人: 深圳市骏达光电股份有限公司
主分类号: G06F3/044 分类号: G06F3/044
代理公司: 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 代理人: 吴立
地址: 518108 广东省深圳市宝安区石*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: gf1 结构 电容 触摸屏 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种GF1结构的电容触摸屏,其特征在于,包括ITO薄膜层(15)和柔性线路板(13);所述ITO薄膜层(15)上设有一体成型的X方向ITO线路(11)和Y方向ITO线路(12),所述X方向ITO线路(11)包括一体成型的X方向ITO电极线(111)和X方向ITO引出线(112);所述Y方向ITO线路(12)包括一体成型的Y方向ITO电极线(121)和Y方向ITO引出线(122);所述X方向ITO引出线(112)和所述Y方向ITO引出线(122)与所述柔性线路板(13)相连;采用ACF胶将所述X方向ITO引出线(112)和所述Y方向ITO引出线(122)绑定到所述柔性线路板(13)上;所述GF1结构的电容触摸屏的一短边处设有所述柔性线路板(13)的连接端,所述X方向ITO引出线(112)与所述Y方向ITO引出线(122)分别与所述连接端相连;

其中,X方向ITO电极线(111)和Y方向ITO电极线(121)的线距为30-100um;X方向ITO引出线(112)的线距为80-300um;Y方向ITO引出线(122)的线距为80-300um;

所述GF1结构的电容触摸屏还包括盖板玻璃(14)和OCA光学胶层(16);所述ITO薄膜层(15)通过所述OCA光学胶层(16)贴合到所述盖板玻璃(14)上。

2.根据权利要求1任一项所述的GF1结构的电容触摸屏,其特征在于,所述X方向ITO电极线(111)和所述Y方向ITO电极线(121)的线宽为35-100um;所述X方向ITO引出线(112)的线宽为80-300um;所述Y方向ITO引出线(122)的线宽为80-300um。

3.权利要求1-2任一项所述的GF1结构的电容触摸屏的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

S1:在ITO薄膜层(15)上制作一体成型的X方向ITO线路(11)和Y方向ITO线路(12);所述X方向ITO线路(11)包括一体成型的X方向ITO电极线(111)和X方向ITO引出线(112),所述Y方向ITO线路(12)包括一体成型的Y方向ITO电极线(121)和Y方向ITO引出线(122);

S2:将所述X方向ITO引出线(112)和所述Y方向ITO引出线(122)绑定到柔性线路板(13)上。

4.根据权利要求3所述的GF1结构的电容触摸屏的制作方法,其特征在于,所述步骤S1包括:

S111:在ITO薄膜层(15)上覆上干膜;

S112:将透光光罩放置在所述ITO薄膜层(15)上,并使用平行的紫外光透过所述透光光罩照射在所述干膜上以形成固化干膜;所述透光光罩包括与X方向ITO电极线(111)、X方向ITO引出线(112)、Y方向ITO电极线(121)和Y方向ITO引出线(122)对应的光孔;

S113:以3.6-5.0m/min的速度将所述ITO薄膜层(15)通过浓度为9-11g/l的Na2CO3溶液,以洗去未固化的所述干膜;

S114:以3.8-5.2m/min的速度将所述ITO薄膜层(15)通过浓度为5.5-8.5mol/L的王水溶液,以洗去未被固化的所述干膜覆盖的所述ITO薄膜层(15)上的ITO;

S115:以4.0-5.4m/min的速度将所述ITO薄膜层(15)通过浓度为0.6-1.8mol/l的NaOH溶液,以洗去所述固化干膜,以在所述ITO薄膜层(15)上形成有一体成型的X方向ITO线路(11)和Y方向ITO线路(12)。

5.根据权利要求4所述的GF1结构的电容触摸屏的制作方法,其特征在于,所述光孔中用于照射所述X方向ITO电极线(111)和所述Y方向ITO电极线(121)的部分的宽度为35-100um,用于照射所述X方向ITO引出线(112)的部分的宽度为80-300um;用于照射所述Y方向ITO引出线(122)的部分的宽度为80-300um。

6.根据权利要求5所述的GF1结构的电容触摸屏的制作方法,其特征在于,所述光孔中用于照射所述X方向ITO电极线(111)和所述Y方向ITO电极线(121)的部分的间距为35-100um,用于照射所述X方向ITO引出线(112)的部分的间距为80-300um;用于照射所述Y方向ITO引出线(122)的部分的间距为80-300um。

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