[发明专利]薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201510847930.5 | 申请日： | 2012-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105261655A | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 奚鹏博;陈钰琪 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;尚群 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 | ||
1.一种薄膜晶体管，包括：
一栅极，设置于一基板上且连接至一栅极线；
一电容补偿结构，设置于该基板上，且该电容补偿结构电性连接至该栅极，其特征在于，该电容补偿结构具有一第一侧边面对该栅极以及一第二侧边远离该栅极，该电容补偿结构具有一第一延伸部，以及一连接至该第一延伸部与该栅极线的第一本体部；
一半导体层，设置于该基板上且覆盖部分该栅极，其中，该半导体层至少延伸重叠于该电容补偿结构的该第一侧边；
一介电层，设置于该基板上，且该介电层具有一第一开口及一第二开口分别暴露出位于该栅极处的部分该半导体层；
一漏极，设置于该基板上且经由该第一开口接触该半导体层；以及
一源极，设置于该基板上且经由该第二开口接触该半导体层。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层重叠于该电容补偿结构的该第一侧边具有一重叠区，该重叠区垂直投影于该基板上具有一长度与一宽度，该长度介于1微米至5微米之间。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极具有一第二延伸部，以及一连接至该第二延伸部的第二本体部。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一延伸部平行于该第二延伸部，且该第一延伸部与该第二延伸部垂直投影于该基板上具有一间隔，其中该间隔介于6微米与8微米之间。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该半导体层的材料包括氧化物半导体。
6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，该源极与该电容补偿结构不重叠。
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