[发明专利]电源供应去耦合电路

权利要求书

1.一种电源供应去耦合电路，其特征在于，包括：

一第一运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第一运算放大器的该正输入端耦接至一第一参考电位，而该第一运算放大器的该负输入端耦接至一共同供应节点；

一电容器，耦接于该共同供应节点和该第一运算放大器的该输出端之间；

一源电阻器，耦接于一供应电位和该共同供应节点之间；以及

一稳定电路，耦接于该共同供应节点和一接地电位之间，其中当该共同供应节点的一电位电平低于一第二参考电位时，该稳定电路即用于稳定该共同供应节点的该电位电平；

其中该共同供应节点用于驱动一外部电路，并以该供应电位作为该外部电路的电源供应。

2.根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该源电阻器由一集成电路布局的一寄生金属电阻所形成。

3.根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路包括：

一第二运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第二运算放大器的该正输入端耦接至该共同供应节点，而该第二运算放大器的该负输入端耦接至该第二参考电位；以及

一第二晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第二晶体管的该控制端耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第二晶体管的该第一端耦接至一相对较高供应电位，而该第二晶体管的该第二端耦接至该共同供应节点。

4.根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路还包括：

一第一晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第一晶体管的该控制端耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第一晶体管的该第一端耦接至该第二晶体管的该控制端，而该第一晶体管的该第二端耦接至该相对较高供应电位；以及

一电流吸收器，耦接于该第一晶体管的该第一端和该接地电位之间。

5.根据权利要求1所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二参考电位的一电位电平低于该供应电位的一电位电平。

6.根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该相对较高供应电位的一电位电平高于该供应电位的一电位电平。

7.根据权利要求3所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二运算放大器以该相对较高供应电位作为该第二运算放大器的操作电位。

8.一种电源供应去耦合电路，其特征在于，包括：

一源电阻器，耦接于一供应电位和一共同供应节点之间，其中该共同供应节点用于驱动一外部电路，并以该供应电位作为该外部电路的电源供应；

一去耦合电容器，耦接于该共同供应节点和一接地电位之间；以及

一稳定电路，其中当该共同供应节点的一电位电平低于一第二参考电位时，该稳定电路即用于稳定该共同供应节点的该电位电平，该稳定电路包括：

一第二运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，其中该第二运算放大器的该正输入端耦接至该共同供应节点，而该第二运算放大器的该负输入端耦接至该第二参考电位；以及

一第二晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第二晶体管的该控制端耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第二晶体管的该第一端耦接至一相对较高供应电位，而该第二晶体管的该第二端耦接至该共同供应节点。

9.根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该源电阻器由一集成电路布局的一寄生金属电阻所形成。

10.根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该稳定电路还包括：

一第一晶体管，具有一控制端、一第一端以及一第二端，其中该第一晶体管的该控制端耦接至该第二运算放大器的该输出端，该第一晶体管的该第一端耦接至该第二晶体管的该控制端，而该第一晶体管的该第二端耦接至该相对较高供应电位；以及

一电流吸收器，耦接于该第一晶体管的该第一端和该接地电位之间。

11.根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二参考电位的一电位电平低于该供应电位的一电位电平。

12.根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该相对较高供应电位的一电位电平高于该供应电位的一电位电平。

13.根据权利要求8所述的电源供应去耦合电路，其特征在于，该第二运算放大器以该相对较高供应电位作为该第二运算放大器的操作电位。