[发明专利]用于制造第III族氮化物半导体的方法及所使用的坩埚

权利要求书

1.一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：将溶解在助熔剂中的第III族金属的熔体保持于坩埚中，将含有氮的气体供应至所述熔体，以及生长所述第III族氮化物半导体，其中，

所述坩埚是由氧化铝制成的；并且

使用所述坩埚，其中在所述坩埚的内壁上存在有在制造所述坩埚时异常生长的氧化铝晶粒，并且所述异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm，并且其中

粒径分布的数密度在正常生长的氧化铝晶粒的第一粒径处呈现出第一数密度峰，并且在所述异常生长的氧化铝晶粒的第二粒径处呈现出第二数密度峰，所述第二粒径大于所述第一粒径。

2.一种用于制造第III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：将溶解在助熔剂中的第III族金属的熔体保持于坩埚中，将含有氮的气体供应至所述熔体，以及生长所述第III族氮化物半导体，其中，

所述坩埚是由氧化铝制成的；并且

使用所述坩埚，其中在所述坩埚的内壁上存在有在制造所述坩埚时异常生长的氧化铝晶粒，并且所述异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm，并且其中

在所述坩埚的所述内壁上的所述异常生长的氧化铝晶粒的数密度是10个/mm²至10000个/mm²。

3.根据权利要求2所述的用于制造第III族氮化物半导体的方法，其中在所述坩埚的所述内壁上的所述异常生长的氧化铝晶粒的数密度是50个/mm²至2000个/mm²。

4.根据权利要求2所述的用于制造第III族氮化物半导体的方法，其中

粒径分布的数密度在正常生长的氧化铝晶粒的第一粒径处呈现出第一数密度峰，并且在所述异常生长的氧化铝晶粒的第二粒径处呈现出第二数密度峰，所述第二粒径大于所述第一粒径。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的用于制造第III族氮化物半导体的方法，其中通过石膏模铸造法来制造所述坩埚。

6.一种坩埚，所述坩埚用于在通过助熔剂法生长第III族氮化物半导体晶体时保持熔体，所述坩埚是由氧化铝制成的，其中

在所述坩埚的内壁上存在有在制造所述坩埚时异常生长的氧化铝晶粒，并且

所述异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm，并且其中

粒径分布的数密度在正常生长的氧化铝晶粒的第一粒径处呈现出第一数密度峰，并且在所述异常生长的氧化铝晶粒的第二粒径处呈现出第二数密度峰，所述第二粒径大于所述第一粒径。

7.一种坩埚，所述坩埚用于在通过助熔剂法生长第III族氮化物半导体晶体时保持熔体，所述坩埚是由氧化铝制成的，其中

在所述坩埚的内壁上存在有在制造所述坩埚时异常生长的氧化铝晶粒，并且

所述异常生长的氧化铝晶粒的最大粒径不小于10μm，并且其中在所述坩埚的所述内壁上的所述异常生长的氧化铝晶粒的数密度是10个/mm²至10000个/mm²。

8.根据权利要求7所述的坩埚，其中在所述坩埚的所述内壁上的所述异常生长的氧化铝晶粒的数密度是50个/mm²至2000个/mm²。

9.根据权利要求7所述的坩埚，其中

粒径分布的数密度在正常生长的氧化铝晶粒的第一粒径处呈现出第一数密度峰，并且在所述异常生长的氧化铝晶粒的第二粒径处呈现出第二数密度峰，所述第二粒径大于所述第一粒径。