[发明专利]LAVACOAT型的预清洁与预热在审
申请号: | 201510850103.1 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN105470114A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 布里恩·T·韦斯特;温德尔·小博伊德;萨曼莎·潭 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/3065;C23C14/22;C23C14/34;C23C16/44 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | lavacoat 清洁 预热 | ||
1.一种对用于半导体处理腔室中的部件的表面提供纹理的方法,包含 以下步骤:
在所述部件的所述表面上界定多个区域,其中所述多个区域的每个区 域包含多个单元;
将电磁束移动至所述多个区域中的第一区域;
散焦所述电磁束;
横跨所述第一区域的表面扫描经散焦的电磁束以加热所述第一区域的 所述表面,其中横跨所述第一区域的表面扫描经散焦的电磁束以加热所述 第一区域的所述表面的步骤包含以下步骤:将所述第一区域的所述表面熔 融至预定深度;
重新聚焦所述电磁束;及
横跨所述第一区域的经加热的表面扫描经重新聚焦的电磁束,以在所 述多个单元的每个单元中形成特征结构。
2.根据权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:在所述表面上逐个 区域地重复所述移动所述电磁束、散焦所述电磁束、扫描经散焦的电磁束 以加热所述表面、重新聚焦所述电磁束以及扫描经重新聚焦的电磁束以在 所述多个单元的每个单元中形成特征结构的步骤,直到已纹理化了所述部 件的所要量。
3.根据权利要求1所述的方法,还包含以下步骤:
将所述电磁束移动至所述多个区域中的第二区域;
散焦所述电磁束;
横跨所述第二区域的表面扫描经散焦的电磁束,以加热所述第二区域 的所述表面;及
重新聚焦所述电磁束;及
横跨所述第二区域的经加热的表面扫描经重新聚焦的电磁束,以形成 特征结构。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的所述表面 扫描以形成特征结构的所述电磁束具有的功率密度,比横跨所述第一区域 的表面扫描以加热所述区域的所述电磁束的功率密度大。
5.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的表面扫描 所述电磁束以加热所述第一区域的步骤包含以下步骤:以相对于所述部件 的行进速度移动所述电磁束,因此所述电磁束不熔融所述区域的所述表面 而从所述表面移除污染物。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,相对于所述部件的所述行进速 度介于每秒10米与每秒100米之间。
7.根据权利要求1所述的方法,其中,横跨所述第一区域的所述经加 热的表面扫描所述电磁束以形成特征结构的步骤还包含以下步骤:以介于 每秒0.5米与每秒4米之间的行进速度移动所述电磁束。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述部件包含选自以下材料所 构成的群组的材料:钢、不锈钢、钽、钨、钛、铜、铝、镍、金、银、氧 化铝、氮化铝、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、蓝宝石(Al2O3)、氧化 钇、三氧化二钇及其组合。
9.根据权利要求1所述的方法,其中,所述部件包含选自以下材料所 构成的群组的材料:金、银、铝硅、锗、锗硅、氮化硼、氧化铝、氮化 铝、硅、氮化硅、氧化硅、碳化硅、氧化钇、三氧化二钇及其组合。
10.根据权利要求1所述的方法,其中,所形成的所述特征结构选自 凹陷、突出及其组合所构成的群组。
11.根据权利要求1所述的方法,其中,所述方法在真空腔室中执 行,因此经磨耗的沉积物再沉积于其它表面上或通过真空泵从所述真空腔 室移除。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造