[发明专利]一种FLASH存储器编程电路及其电压控制方法

权利要求书

1.一种SST型FLASH存储器编程电路，包括一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路，其特征在于，

一级译码电路，与SLBIAS电压控制电路通过SLBIAS电压节点相连接，输出V1；

二级译码选通电路，输出V2b来连接选通开关电路中的PMOS晶体管；

选通开关电路，由1个 PMOS晶体管组成，串联在V1和SL电压节点之间；

下拉电路，分为SL电压下拉电路和SLBIAS电压下拉电路，SL电压下拉电路，串联在SL电压节点和GND电压节点之间，SLBIAS电压下拉电路和钳位电路，并联在SLBIAS电压节点和GND电压节点之间，当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路钳位，SL电压被限制到MOS晶体管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电增大；

SLBIAS电压控制电路，输出SLBIAS电压到一级译码电路，一级译码电路输出电压V1到选通开关电路，二级译码选通电路输出电压V2b到选通开关电路，该选通开关电路根据电压V1和电压V2b的值输出SL电压值。

2.如权利要求1所述的SST型FLASH存储器编程电路，其特征在于，选中SL电压时，输出编程所需高压Vsp；不选中SL电压时，输出SL电压由SLBIAS电压控制电路控制。

3.如权利要求1所述的SST型FLASH存储器编程电路，其特征在于，所述二级译码选通电路产生PMOS晶体管栅极控制信号V2b。

4.如权利要求1所述的SST型FLASH存储器编程电路，其特征在于，所述选通开关电路传输V1电压给SL电压节点。

5.如权利要求1所述的SST型FLASH存储器编程电路，其特征在于，所述钳位电路由1个钳位二极管管组成，起导通作用，并限制SL电压超过阈值电压以上，防止漏电。

6.一种SST型FLASH存储器编程电路电压控制方法，其中，所述SST型 FLASH存储器编程电路由一级译码电路、二级译码选通电路、选通开关电路、SLBIAS电压控制电路、钳位电路和下拉电路构成，所述方法包括：

一级译码电路输出V1；

二级译码选通电路输出V2b来连接选通开关电路中的PMOS晶体管；

选通开关电路，由1个 PMOS晶体管组成，串联在V1和SL电压节点之间；

下拉电路分为SL电压下拉电路和SLBIAS电压下拉电路，SL电压下拉电路串联在SL电压节点和GND电压节点之间，SLBIAS电压控制电路与一级译码电路通过SLBIAS电压节点相连接，SLBIAS电压控制电路输出SLBIAS电压到一级译码电路，一级译码电路输出电压V1到选通开关电路，二级译码选通电路输出电压V2b到选通开关电路，选通开关电路根据电压V1和电压V2b的值输出SL电压值；

钳位电路连接SLBIAS电压下拉电路，并联在SLBIAS电压控制电路和GND电压节点之间，当FLASH存储器处于编程状态时，若存储单元没有沟道漏电，未被选中的SL电压为浮空状态；若存储单元有沟道漏电，未被选中的SL电压被钳位电路限制到MOS管阈值电压附近，通过衬偏作用抑制存储单元沟道漏电。

7.如权利要求6所述的SST型FLASH存储器编程电路电压控制方法，其特征在于，选中SL电压时，输出编程所需高压Vsp；不选中SL电压时，输出SL电压由SLBIAS电压控制电路控制。

8.如权利要求6所述的SST型FLASH存储器编程电路电压控制方法，其特征在于，所述二级译码选通电路产生PMOS晶体管栅极控制信号V2b。

9.如权利要求6所述的 SST型FLASH存储器编程电路电压控制方法，其特征在于，该PMOS晶体管传输V1到SL的电压。