[发明专利]一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法在审
| 申请号： | 201510851800.9 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105337153A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王勇刚;段利娜;李璐;王茜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院西安光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | H01S3/098 | 分类号： | H01S3/098;H01S3/067 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 张倩 |
| 地址： | 710119 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 倏逝波锁模 饱和 吸收体 器件 制作方法 | ||
1.一种基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，包括以下步骤：
1)将可饱和吸收体材料生长在衬底表面上，在衬底上形成可饱和吸收层，得到贴片；
2)将贴片粘贴在D型光纤表面，在贴片和D型光纤之间设置有折射率匹配胶，其中贴片附着可饱和吸收层的一侧与D型光纤表面相对，所述折射率匹配胶的折射率与D型光纤内包层匹配。
2.根据权利要求1所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：步骤1)采用气相化学沉积法、激光溅射法或裂解法在衬底上生长可饱和吸收体材料。
3.根据权利要求1或2所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：所述衬底材料为石英或云母。
4.根据权利要求3所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：在衬底上生长的可饱和吸收体材料种类为碳纳米管、石墨烯、拓扑绝缘体、MoS2或WS2。
5.根据权利要求4所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：可饱和吸收体材料的层数为1-20层，厚度小于100nm。
6.根据权利要求5所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：折射率匹配胶的折射率为1.4-1.5之间。
7.根据权利要求3所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：所述云母为氟晶云母，其化学式为KMg3(AlSi3O10)F2，其折射率为1.54，云母的厚度为20～100μm。
8.根据权利要求6所述的基于倏逝波锁模的可饱和吸收体器件的制作方法，其特征在于：D型光纤选择侧面抛光法制作。
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