[发明专利]基于ITO纳米线网络的电阻开关及制备方法在审
| 申请号： | 201510852064.9 | 申请日： | 2015-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN105405970A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李强;弓志娜;王江腾;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 ito 纳米 网络 电阻 开关 制备 方法 | ||
1.基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在洁净的衬底上蒸镀一层金属薄膜；
(2)用高温胶带将金属薄膜中作为电极的区域进行遮挡；
(3)在金属薄膜上非电极区域用自组装法沉积单层聚苯乙烯小球并自然晾干；
(4)将ITO靶材放置于电子束蒸镀坩埚内，带有聚苯乙烯小球的衬底卡入样品架，有聚苯乙烯小球的面正对靶材；
(5)对设备进行抽真空和腔体加热，温度达到300℃后，稳定5分钟，然后按0.1nm/s的沉积速率，沉积15-30分钟，停止蒸镀；在金属薄膜的非电极区域形成一层ITO纳米线网络薄膜；
(6)样品自然冷却至常温后取出，去除高温胶带；
(7)将样品放置在高温退火炉中退火，冷却后取出样品；
(8)在ITO纳米线网络薄膜上涂Ag导电胶，制备成Ag/ITO/金属三明治结构的基于ITO纳米线网络的电阻开关。
2.根据权利要求1所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底。
3.根据权利要求1所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，所述金属薄膜为Al薄膜，厚度为1μm。
4.根据权利要求1所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，聚苯乙烯小球的直径为500-670nm。
5.根据权利要求1所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，ITO靶材中In：Sn＝9：1。
6.根据权利要求1所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法，其特征在于，步骤(7)中在纯度为99.999％的N2氛围中退火20-30分钟，退火温度为470℃。
7.权利要求1至6中任一项所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关的制备方法所制备的基于ITO纳米线网络的电阻开关。
8.基于ITO纳米线网络的电阻开关，其特征在于，包括衬底和依次设置于衬底上的Al薄膜、ITO纳米线网络薄膜和Ag电极；该电阻开关为Ag/ITO/Al三明治结构。
9.根据权利要求8所述的基于ITO纳米线网络的电阻开关，其特征在于，ITO纳米线网络薄膜的厚度为90-180nm。
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