[发明专利]伪差分电容型逐次逼近模数转换器有效

专利信息
申请号: 201510853949.0 申请日: 2015-11-30
公开(公告)号: CN105375926B 公开(公告)日: 2018-10-26
发明(设计)人: 张斌 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H03M1/38 分类号: H03M1/38
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 伪差分 电容 逐次 逼近 转换器
【权利要求书】:

1.一种伪差分电容型逐次逼近模数转换器,特征在于,包括第一电容阵列和第二电容阵列,所述第一电容阵列包括第一段子电容阵列和一个以上的低位段子电容阵列,所述第一段子电容阵列的位数比各所述低位段子电容阵列都高;

所述第一段子电容阵列包括多位电容,各所述低位段子电容阵列包括多位电容,所述第二电容阵列的电容位数比所述第一段子电容阵列的电容位数多一个,所述第二电容阵列的最高位电容到次低位电容依次和相同位的所述第一段子电容阵列的电容大小相等并组成差分权重位电容;所述第二电容阵列的最低位电容和次低位电容大小相等;

模数转换过程中,首先从所述第一段子电容阵列的最高位到最低位进行逐位的差分权重位的模数转换,所述第一段子电容阵列的最低位差分权重位转换完成后,将最低位差分权重位码值转换成过渡码值;当所述最低位差分权重位码值为1时,所述过渡码值使所述第二电容阵列的次低位电容和最低位电容都接地;当所述最低位差分权重位码值为0时,所述过渡码值使所述第二电容阵列的次低位电容和最低位电容都接参考电压;

所述过渡码值转换完成后,由所述第一段子电容阵列的最低位电容和所述低位段子电容阵列的电容组成单端权重位模式电容阵列并进行单端权重位的转换。

2.如权利要求1所述的伪差分电容型逐次逼近模数转换器,特征在于:所述第一段子电容阵列的各位电容的上极板连接在一起并作为电容正相端,所述第一段子电容阵列的各位电容的下极板分别通过一个一刀三掷开关连接到正相输入电压、参考电压和地中的一个;

同一所述低位段子电容阵列的各位电容的上极板连接在一起,同一所述低位段子电容阵列的各位电容的下极板分别通过一个一刀三掷开关连接到正相输入电压、参考电压和地中的一个;

所述第一段子电容阵列的各位电容的上极板和相邻的所述低位段子电容阵列的各位电容的上极板通过耦合电容连接,相邻的各所述低位段子电容阵列的各位电容的上极板也通过耦合电容连接;

所述第二电容阵列的各位电容的上极板连接在一起并作为电容反相端,所述第二电容阵列的各位电容的下极板分别通过一个一刀三掷开关连接到反相输入电压、参考电压和地中的一个。

3.如权利要求2所述的伪差分电容型逐次逼近模数转换器,特征在于:

所述电容正相端连接到比较器的正相输入端且通过一个切换开关连接到共模电平;所述电容反相端连接到所述比较器的反相输入端且通过一个切换开关连接到共模电平;

所述比较器的输出端连接到控制逻辑电路,各所述一刀三掷开关和各所述切换开关由所述控制逻辑电路控制。

4.如权利要求1或2所述的伪差分电容型逐次逼近模数转换器,特征在于:所述第一段子电容阵列包括6位电容,共有一个所述低位段子电容阵列且所述低位段子电容阵列包括6位电容。

5.如权利要求4所述的伪差分电容型逐次逼近模数转换器,特征在于:所述第一段子电容阵列的最高位电容到最低位电容的大小依次为32倍单位电容、16倍单位电容、8倍单位电容、4倍单位电容、2倍单位电容和1倍单位电容;

所述低位段子电容阵列的最高位电容到最低位电容的大小依次为16倍单位电容、8倍单位电容、4倍单位电容、2倍单位电容、1倍单位电容和1倍单位电容。

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