[发明专利]一种光学防伪元件及使用该光学防伪元件的光学防伪产品

权利要求书

1.一种光学防伪元件，该光学防伪元件包括：

基材，该基材包括相互对立的第一表面和第二表面；

位于所述基材的第一表面上的采样合成层；以及

位于所述基材的第二表面上的微图像层，该微图像层包括第一区域和第二区域，所述第一区域中至少部分覆盖有镀层，所述第二区域包含至少两个子区域，每个子区域中至少部分覆盖有颜色功能层，各个子区域中的颜色功能层之间以及与第一区域中的镀层之间各自具有不同的颜色特征，而且所述微图像层能够被所述采样合成层所采样并合成从而形成图像，

其中，当所述图像从所述两个子区域中的一个子区域越过到另一个子区域时，所述图像的颜色会发生变化。

2.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层由微孔阵列、微栅格阵列和微透镜阵列中的至少一者形成。

3.根据权利要求2所述的光学防伪元件，其中，所述微孔阵列、微栅格阵列和微透镜阵列为分别由多个微孔单元、微栅格单元和微透镜单元构成的周期性阵列、非周期性阵列、随机性阵列、局部周期性阵列中的任意一者或其组合。

4.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其中，所述微孔阵列、微栅格阵列和微透镜阵列呈现正方形排列、矩形排列、六边形排列、圆形排列、椭圆形排列以及其它四边形或多边形排列方式中的至少一种排列方式。

5.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层和所述微图像层的图像周期为10μm至200μm。

6.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层和所述微图像层的图像周期为15μm至50μm。

7.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层的焦距为10μm至200μm。

8.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层的焦距为15μm至40μm。

9.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述采样合成层的加工深度小于15μm。

10.根据权利要求9所述的光学防伪元件，其中，所述加工深度为0.5μm至10μm。

11.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述基材的厚度与所述采样合成层的焦距之差小于8μm。

12.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述基材的厚度与所述采样合成层的焦距之差小于3μm。

13.根据权利要求3所述的光学防伪元件，其中，所述微孔阵列、微栅格阵列和微透镜阵列的阵列周期与所述微图像层之间的阵列周期相同或不同，且阵列相对错角位于-2度至2度的范围内。

14.根据权利要求1所述的光学防伪元件，其中，所述镀层或者颜色功能层位于所述微图像层中的图案、图案背景或者二者中任意一者的一部分中。

15.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的光学防伪元件，该光学防伪元件还包括覆盖在所述镀层上的与各个子区域中的颜色功能层的颜色特征相同或不同的颜色功能层。

16.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述镀层为单层金属镀层、多层金属镀层、单层介质层、多层介质层、干涉型多层膜结构中的至少一者。

17.根据权利要求1至14中任一权利要求所述的光学防伪元件，其中，所述颜色功能层为油墨、颜料、染料和光变油墨、液晶光变层、单层金属镀层、多层金属镀层、单层介质层、多层介质层、干涉型多层膜结构中的至少一者。