[发明专利]在垂直纳米导线晶体管中诱发局部应变有效
| 申请号： | 201510856836.6 | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN105810720B | 公开（公告）日： | 2019-05-10 |
| 发明（设计）人： | 尚-皮耶·柯林基;张广兴;卡罗斯·H·迪雅兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 导线 晶体管 诱发 局部 应变 | ||
【权利要求书】：
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