[发明专利]一种低失调运算放大器

权利要求书

1.一种低失调运算放大器，其特征在于，包括一级差分放大电路、对称差分放大电路、对称信号产生电路以及二级对称输出放大电路，其中：

所述一级差分放大电路的输出端与所述对称差分放大电路的第一输入端连接，所述一级差分放大电路用于将输入信号放大后得到一级放大电压并输出至所述第一输入端；

所述对称差分放大电路的第二输入端与所述对称信号产生电路的输出端连接；其中，所述对称信号产生电路用于生成与所述一级差分放大电路产生的失调电压极性相同、大小相等的对称电压，并将所述对称电压输出至所述第二输入端；

所述对称差分放大电路的输出端与所述二级对称输出放大电路连接，所述对称差分放大电路用于对所述一级放大电压以及所述对称电压组成的输入信号进行对称差分放大，得到对称差分放大电压并输出至所述二级对称输出放大电路，所述二级对称输出放大电路用于对所述对称差分放大电压放大后输出放大信号。

2.如权利要求1所述的低失调运算放大器，其特征在于，所述一级差分放大电路具体包括第一PMOS、第二PMOS、第三PMOS以及有源负载电路，其中：

所述第三PMOS的源极与电源连接，所述第三PMOS的栅极与偏置电压极接，所述第三PMOS的漏极分别与所述第一PMOS以及所述第二PMOS的源极连接，所述第一PMOS的栅极接所述输入信号的负极，所述第一PMOS的漏极与所述有源负载电路的第一端连接，所述第二PMOS的栅极接所述输入信号的正极，所述第二PMOS的漏极作为所述一级差分放大电路的输出端，与所述有源负载电路的第二端连接，所述有源负载电路的第三端接地。

3.如权利要求2所述的低失调运算放大器，其特征在于，所述第一有源负载电路具体包括第一NMOS和第二NMOS，其中：

所述第一NMOS的漏极作为所述有源负载电路的第一端，所述第一NMOS的栅极分别与其漏极以及所述第二NMOS的栅极连接，所述第一NMOS的源极接地，所述第二NMOS的漏极作为所述有源负载电路的第二端，所述第二NMOS的源极接地。

4.如权利要求3所述的低失调运算放大器，其特征在于，所述对称差分放大电路具体包括第四PMOS、第五PMOS、第六PMOS、第三NMOS以及第四NMOS，其中：

所述第六PMOS的源极与所述电源连接，所述第六PMOS的栅极与所述偏置电压连接，所述第六PMOS的漏极分别与所述第四PMOS的源极以及所述第五PMOS的源极连接，所述第四PMOS的栅极作为所述第一输入端，与所述一级差分放大电路的输出端连接，所述第四PMOS的漏极与所述第三NMOS的漏极连接，所述第五PMOS的栅极作为所述对称差分放大电路的第二输入端，与所述对称信号产生电路的输出端连接，所述第五PMOS的漏极与所述第四NMOS的漏极连接，所述第三NMOS的栅极分别与其漏极以及所述二级对称输出放大电路的第一输入端连接，所述第三NMOS的源极接地，所述第四NMOS的栅极分别与其漏极以及所述二级对称输出放大电路的第二输入端连接，所述第四NMOS的源极接地。

5.如权利要求4所述的低失调运算放大器，其特征在于，所述对称信号产生电路具体包括第七PMOS、第八PMOS以及第五NMOS，其中：

所述第七PMOS的源极与所述电源连接，所述第七PMOS的栅极与所述偏置电压连接，所述第七PMOS的漏极与所述第八PMOS的源极连接，所述第八PMOS的栅极作为所述对称信号产生电路的输入端，与调零电压连接，所述第八PMOS的漏极作为所述对称信号产生电路的输出端，分别与所述对称差分放大电路的第二输入端以及所述第五NMOS的漏极连接，所述第五NMOS的栅极与其漏极连接，所述第五NMOS的源极接地，其中，所述第七PMOS的宽长比是所述第三PMOS的宽长比的1/2，所述第一PMOS的宽长比等于所述第八PMOS的宽长比，所述第一NMOS的宽长比等于所述第五NMOS的宽长比。

6.如权利要求5所述的低失调运算放大器，其特征在于，所述二级对称输出放大电路具体包括第九PMOS、第十PMOS、第六NMOS以及第七NMOS，其中：

所述第九PMOS的源极与所述电源连接，所述第九PMOS的栅极分别与其漏极以及所述第十PMOS的栅极连接，所述第九PMOS的漏极与所述第六NMOS的漏极连接，所述第六NMOS的栅极作为所述二级对称输出放大电路的第一输入端，所述第六NMOS的源极接地，所述第十PMOS的源极与所述电源连接，所述第十PMOS的漏极作为所述二级对称输出放大电路的输出端，与所述第七NMOS的漏极连接，所述第七NMOS的栅极作为所述二级对称输出放大电路的第二输入端，所述第七NMOS的源极接地。