[发明专利]光电转换装置、光电转换装置的制造方法及电子设备

权利要求书

1.一种光电转换装置，其特征在于，具备：

第一电极，包含第一金属；

第二电极，配置在所述第一电极的上层；

半导体层，配置在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

第三电极，包含所述第一金属，

所述第一电极和所述第三电极形成于同一层，

在所述第一电极上形成有所述第一金属的硒化膜，

在所述第三电极上未形成所述第一金属的硒化膜，

绝缘层和保护层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述保护层覆盖所述绝缘层。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第一电极的层厚薄于所述第三电极的层厚。

3.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，

在所述第一电极和所述第三电极上形成有具有开口部的绝缘层，所述硒化膜配置于俯视观察下与所述开口部重叠的区域。

4.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，

在所述第一电极和所述第三电极上形成有具有开口部的金属氧化层，

所述硒化膜配置于俯视观察下与所述开口部重叠的区域。

5.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，

所述第二电极与所述第三电极电连接。

6.根据权利要求5所述的光电转换装置，其特征在于，

所述光电转换装置还具备晶体管，

所述第三电极电连接于所述晶体管的栅电极。

7.根据权利要求1或2所述的光电转换装置，其特征在于，

所述半导体层包括黄铜矿结构的半导体膜。

8.一种电子设备，其特征在于，具备：

权利要求1至7中任一项所述的光电转换装置；以及

发光装置，层叠于所述光电转换装置。

9.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上成膜包含第一金属的导电膜，以形成第一电极和第三电极；

在所述第一电极的上层配置第二电极；

形成覆盖所述第三电极并在所述第一电极上具有开口部的绝缘层；

在所述开口部内形成包含第11族元素和第13族元素的金属膜；以及

对所述金属膜进行硒化，

在进行所述硒化的工序中，所述第一电极的表层部成为所述第一金属的硒化物而所述第三电极的表层部不成为所述第一金属的硒化物，

绝缘层和保护层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述保护层覆盖所述绝缘层。

10.一种光电转换装置的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在基板上成膜包含第一金属的导电膜，以形成第一电极和第三电极；

在所述第一电极的上层配置第二电极；

形成覆盖所述第三电极并在所述第一电极上具有开口部的金属氧化层；

在所述开口部内形成包含第11族元素和第13族元素的金属膜；以及

对所述金属膜进行硒化，

在进行所述硒化的工序中，所述第一电极的表层部成为所述第一金属的硒化物而所述第三电极的表层部不成为所述第一金属的硒化物，

绝缘层和保护层位于所述第一电极和所述第二电极之间，所述保护层覆盖所述绝缘层。