[发明专利]一种基于磁路的位移传感器

权利要求书

1.一种基于磁路的位移传感器，其特征在于：包括基体A和基体B，所述基体A上设有永磁体，所述基体B上设有从动磁体，所述永磁体与从动磁体相向布置形成磁场，所述永磁体与从动磁体之间布置有磁场传感器，所述磁场传感器与模数转换器相连。

2.根据权利要求1所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：所述基体A上的同一直线方向上布置有若干永磁体，所述基体B的同一直线方向上布置有若干从动磁体，所述永磁体与从动磁体相互对应，任意对应的永磁体与从动磁体之间均设有磁场传感器，若干磁场传感器并联于模数转换器上。

3.根据权利要求2所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：任意两永磁体之间的距离S1等于两倍的永磁体的宽度L1，所述S1为10mm-14mm；任意从动磁体之间的距离S2等于两倍的从动磁体的宽度L2，所述S2为10mm-14mm，所述永磁体的宽度与从动磁体的宽度相对应。

4.根据权利要求2所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：任意两永磁体之间的距离S1与永磁体的宽度L1相等，所述S1为6mm-8mm；任意从动磁体之间的距离S2与从动磁体的宽度L2相等，所述S2为6mm-8mm，所述永磁体的宽度与从动磁体的宽度相对应。

5.根据权利要求2所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：所述永磁体在基体A上呈等比数列方式排列；所述从动磁体在基体B上呈等比数量排列；所述永磁体与从动磁体相对应。

6.根据权利要求2-5之一所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：所述永磁体与从动磁体分别为相对的N极和S极，所述永磁体与从动磁体之间间隔为8 mm -12mm，所述磁场传感器布置于永磁体与从动磁体中间位置。

7.根据权利要求6所述的基于磁路的位移传感器，其特征在于：所述磁场传感器采用霍尔传感器。