[发明专利]一种改善透明导电氧化物ITiO薄膜性能的方法在审
| 申请号： | 201510861183.0 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN105489663A | 公开（公告）日： | 2016-04-13 |
| 发明（设计）人： | 郁操;杨苗;龙巍;易志凯;张津燕 | 申请（专利权）人： | 福建铂阳精工设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 改善 透明 导电 氧化物 itio 薄膜 性能 方法 | ||
1.一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：包括以下步骤：
a、ITiO薄膜沉积前预处理：在沉积设备中通入背景气体，大于20min后停止通入背景气 体，将沉积设备抽真空，使设备真空度为8*10-4～8*10-2Pa；
b、ITiO薄膜沉积：将镀膜基板放入a步骤抽真空后的沉积设备中，采用溅射法沉积ITiO 薄膜，溅射气体为Ar和O2；
其中，沉积压强为0.2～0.7Pa，沉积温度为25～300℃；溅射功率密度为0.5～5W/cm2；
c、ITiO薄膜沉积后处理：将b步骤沉积得到的ITiO薄膜在150～300℃下进行退火处理， 即得改善后的透明氧化物ITiO薄膜。
2.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：a步骤 中利用真空泵对沉积设备抽真空至其真空度为7×10-3Pa。
3.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：a步骤 中所述背景气体为大气、压缩空气、水蒸气或氢气中至少一种。
4.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：b步骤 中镀膜基板为玻璃基底、塑料膜基底、硅基薄膜太阳电池、a-Si:H/c-Si异质结太阳电池、 CIGS薄膜太阳电池中的一种。
5.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：b步骤 中溅射源为直流、中频或射频中的一种。
6.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：b步骤 中溅射气体按照体积比，Ar:O2＝250:1～25:1。
7.根据权利要求6所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：b步骤 中溅射气体按照体积比，Ar:O2＝25:1。
8.根据权利要求1所述一种改善透明氧化物ITiO薄膜性能的方法，其特征在于：c步骤 中退火处理为大气退火、真空退火、N2退火、Ar气退火或H2退火中的一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建铂阳精工设备有限公司，未经福建铂阳精工设备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510861183.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
