[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510861184.5 | 申请日： | 2015-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN106816464B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行N型掺杂以在所述衬底中形成N阱；
对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；
在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间；
在形成所述隔离区之后，对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以形成与所述N阱邻接的P阱。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片包括：
在所述衬底上形成图案化的硬掩模；
以所述图案化的硬掩模为掩模对所述衬底进行刻蚀，从而形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在各个鳍片之间形成隔离区以至少部分填充各个鳍片之间的空间包括：
沉积隔离材料以填充各个鳍片之间的空间并覆盖各个鳍片和鳍片上的硬掩模；
对所述隔离材料进行平坦化，以使隔离材料的顶表面与所述硬掩模的顶表面基本齐平，从而在各个鳍片之间形成隔离区。
4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成P阱之后，去除所述隔离区的一部分以露出各个鳍片的至少一部分。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过离子注入的方式进行所述N型掺杂和所述P型掺杂。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N型掺杂的杂质包括砷离子或磷离子；
所述P型掺杂的杂质包括硼离子或二氟化硼离子。
7.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
对所述衬底进行N型掺杂，以在衬底中形成N阱；
在所述衬底上形成图案化的硬掩模；
以所述图案化的硬掩模为掩模对所述衬底进行刻蚀以形成位于所述N阱上的第一组鳍片以及位于与所述N阱邻接的衬底上的第二组鳍片；
沉积隔离材料以填充各个鳍片之间的空间并覆盖各个鳍片和鳍片上的硬掩模；
对所述隔离材料进行平坦化，以使得所述隔离材料的顶表面与所述硬掩模的顶表面基本齐平；
对所述隔离材料进行回刻蚀，以至少露出各个鳍片上的硬掩模；
去除各个鳍片上的硬掩模，从而在各个鳍片之间形成隔离区；
在去除所述硬掩模之后，对所述第二组鳍片下的衬底进行P型掺杂，以在所述衬底中形成与所述N阱邻接的P阱。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括：
在形成P阱之后，去除所述隔离区的一部分以露出各个鳍片的至少一部分。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，通过离子注入的方式进行所述N型掺杂和所述P型掺杂。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述N型掺杂的杂质包括砷离子或磷离子；
所述P型掺杂的杂质包括硼离子或二氟化硼离子。
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