[发明专利]一种消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法

权利要求书

1.一种消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，包括：在将硅片送入工艺管内进行高温热退火处理时，先通过升温进行主工艺，然后，将工艺管内温度降至氧热施主的生成温度以上作为出舟温度进行出舟及降舟，并在降舟过程中对硅片持续进行快速冷却，使硅片在出舟过程中快速通过氧热施主产生的温度区间，以避免硅片在冷却过程中再次产生氧热施主；之后，再利用SPV法测试硅片的体铁浓度。

2.根据权利要求1所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，出舟温度不低于600度。

3.根据权利要求2所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，出舟温度不低于610度。

4.根据权利要求3所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，出舟温度为610～700度。

5.根据权利要求1所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，进行高温热退火处理时，向工艺管内通入保护气体。

6.根据权利要求5所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，所述保护气体包括氮气、氢气、惰性气体至少其中一种。

7.根据权利要求5或6所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，所述保护气体流量为5～40SLM。

8.根据权利要求1所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，在降舟过程中，利用循环风机通入氮气，对硅片持续进行快速冷却。

9.根据权利要求1或8所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，降舟速率为100～300mm/min。

10.根据权利要求1或8所述的消除氧热施主对少子扩散长度影响的方法，其特征在于，将硅片快速冷却至350度以下。