[发明专利]一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构

权利要求书

1.一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：包括衬底（10），所述衬底（10）上依次设置有N-GaN层（20）、发光层（30）和P-GaN层（40），形成LED晶圆，所述LED晶圆外直接覆盖有光阻层（60），所述光阻层（60）由透明绝缘的光刻胶通过光刻工艺形成，所述光刻胶内均匀混合有量子点,所述量子点包括GaAs、CdHgTe、Ag2S中的任意一种材料或几种的复合材料。

2.根据权利要求1所述的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：所述量子点还包括PbS、CdTe、CdS中的任意一种或几种材料。

3.根据权利要求2所述的一种发出近红外光的氮化镓基LED芯片结构，其特征在于：所述N-GaN层（20）和P-GaN层（40）上分别设置有金属电极（51；52），所述光阻层（60）上设置有使金属电极（51；52）外露的缺口。